耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107104045A(43)申请公布日2017.08.29(21)申请号201610099348.X(22)申请日2016.02.23(71)申请人北京大学地址100871北京市海淀区颐和园路5号申请人北大方正集团有限公司深圳方正微电子有限公司(72)发明人刘美华孙辉林信南陈建国(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人马爽黄健(51)Int.Cl.H01L21/329(2006.01)权利要求书2页说明书4页附图5页(54)发明名称耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法(57)摘要本发明提供一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，该方法首先通过在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极；并在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；再通过对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；最后通过在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于第一阳极通孔和第一阴极通孔内的金属，形成耐压氮化镓肖特基二极管器件。降低了所述器件表面的粗糙程度，减少了器件表面吸附的杂质和静电，缓解了器件表面漏电，增强了器件的耐压性能。CN107104045ACN107104045A权利要求书1/2页1.一种耐压氮化镓肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在器件的表面上制作氮化镓肖特基二极管的阳极和阴极，其中，所述器件包括衬底以及依次生长在所述衬底表面上的GaN缓冲层和AlGaN势垒层；在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层；对部分阳极表面区域和部分阴极表面区域上方的所述第一PETEOS氧化层和所述第一氮化硅层进行刻蚀，生成第一阳极通孔和第一阴极通孔；在器件的表面上淀积一层导通金属，并对所述导通金属进行刻蚀，保留位于所述第一阳极通孔和所述第一阴极通孔内的导通金属。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在器件的表面上制作二极管的阳极和阴极，包括：采用淀积工艺在所述AlGaN势垒层表面上依次淀积第二氮化硅层和第二PETEOS氧化层；采用刻蚀工艺，将位于第一区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述第二氮化硅层刻蚀掉，形成第二阴极通孔；采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阴极金属；采用刻蚀工艺，对所述阴极金属进行刻蚀，形成阴极；采用刻蚀工艺，将位于第二区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述第二氮化硅层刻蚀掉，形成第二阳极通孔，所述第二区域与所述第一区域的交集为空；采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阳极金属，并通过刻蚀工艺对所述阳极金属进行刻蚀，形成阳极。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在器件的表面上依次淀积第一PETEOS氧化层和第一氮化硅层，包括：采用化学气相淀积的工艺在器件的表面上淀积所述第一PETEOS氧化层；在温度小于300摄氏度的条件下，在所述第一PETEOS氧化层的表面上淀积所述第一氮化硅层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺，将位于第一区域内的所述PETEOS氧化层和所述氮化硅层刻蚀掉，形成第二阴极通孔，包括：在所述第二PETEOS氧化层的表面上，位于所述第一区域以外的区域上涂抹一层光刻胶；在光刻胶的遮挡下对所述第二PETEOS氧化层进行刻蚀直至露出所述第二氮化硅层为止，形成第一氧化层开孔；采用干法刻蚀工艺对所述第一氧化层开孔内的第二氮化硅层进行刻蚀，直至露出所述AlGaN势垒层的表面为止，形成所述第二阴极通孔，并去除光刻胶。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阴极金属，包括：采用电子束蒸发金属的工艺依次在所述器件的表面上生长金属Ti层、金属Al层、金属Ti层和金属TiN层，形成所述阴极金属。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用刻蚀工艺，将位于第二区域内的所述第二PETEOS氧化层和所述第二氮化硅层刻蚀掉，形成第二阳极通孔，包括：2CN107104045A权利要求书2/2页在所述器件的表面上，位于所述第二区域以外的区域上涂抹一层光刻胶；在光刻胶的遮挡下对所述第二PETEOS氧化层进行刻蚀直至露出所述第二氮化硅层为止，形成第二氧化层开孔；采用干法刻蚀工艺对所述第二氧化层开孔内的第二氮化硅层进行刻蚀，直至露出所述AlGaN势垒层的表面为止，形成所述第二阳极通孔，并去除光刻胶。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述采用淀积工艺，在所述器件的表面上淀积一层阳极金属，包括：采用电子束蒸发金属的工艺依次在所述器件的表面上生长金属TiN层、金属Ti层、金属Al层、金属Ti层和金属TiN层，形成所述阳极金属