具有嵌入导电层和增强密封的模制腔封装体.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107230641A(43)申请公布日2017.10.03(21)申请号201710182449.8(22)申请日2017.03.24(30)优先权数据15/079,5932016.03.24US(71)申请人英飞凌科技股份有限公司地址德国瑙伊比贝尔格市(72)发明人张超发蔡国耀李瑞家黄志洋H·托伊斯(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002代理人周家新蔡洪贵(51)Int.Cl.H01L21/48(2006.01)H01L23/055(2006.01)权利要求书3页说明书7页附图20页(54)发明名称具有嵌入导电层和增强密封的模制腔封装体(57)摘要提供一种基板，所述基板具有第一侧，所述第一侧具有升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面。至少所述竖直面的一部分覆盖有金属层。模制化合物结构形成在所述第一侧之上，所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间，使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述凹进部分竖直地延伸至升高部分的相反边缘面。随后去除所述基板的至少一部分，使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露，并使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。CN107230641ACN107230641A权利要求书1/3页1.一种形成半导体封装体的方法，包括：提供基板，所述基板具有第一侧，所述第一侧包括：升高部分、侧向包围所述升高部分的凹进部分和从所述凹进部分延伸至所述升高部分的竖直面；用金属层至少覆盖所述竖直面的一部分；在所述第一侧之上形成模制化合物结构，所述金属层设置在所述第一侧与所述模制化合物结构之间，使得所述模制化合物结构包括侧向包围凹进部分的升高部分和从所述模制化合物结构的所述凹进部分竖直地延伸至所述模制化合物的所述升高部分的相反边缘面；和随后去除所述基板的至少一部分，使得所述模制化合物结构的所述凹进部分从所述基板暴露，并且使得所述金属层保留在所述模制化合物结构的至少一个未被覆盖的部分之上。2.根据权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述第一侧的至少一部分包括沿所述基板的整个竖直面形成所述金属层，在去除所述基板的至少一部分之后，所有所述相反边缘面都被形成在所述基板的所述竖直面之上的所述金属层覆盖。3.根据权利要求2所述的方法，其中，覆盖所述基板的所述第一侧包括用所述金属层覆盖所述基板的所述升高部分、所述基板的所述凹进部分和所述基板的所述竖直面，在去除所述基板的至少一部分之后，所述模制化合物结构的所述升高部分和所述模制化合物结构的所述相反边缘面被所述金属层的连续部分覆盖。4.根据权利要求3所述的方法，还包括图案化所述金属层的所述连续部分。5.根据权利要求4所述的方法，其中，图案化所述金属层的所述连续部分包括在覆盖所述模制化合物结构的所述升高部分的所述金属层中形成一个或一个以上隔离的金属焊垫。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述隔离的金属焊垫具有条形形状。7.根据权利要求3所述的方法，其中，形成模制化合物结构包括：形成填充所述基板的所述凹进部分且覆盖所述基板的所述升高部分的第一模制化合物部分；在背离所述基板的所述第一侧的背面薄化所述第一模制化合物部分；和在所述第一模制化合物部分的背面形成第二模制化合物部分。8.根据权利要求7所述的方法，还包括在薄化所述第一模制化合物部分之后，并且在形成所述第二模制化合物部分之前，形成一个或一个以上导电封装体引线。9.根据权利要求8所述的方法，其中，薄化所述第一模制化合物部分包括平坦化所述背面直到去除覆盖所述基板的所述升高部分的所述金属层并且暴露出所述基板的所述升高部分，其中，形成所述一个或一个以上导电封装体引线包括在所述基板的暴露的所述升高部分之上形成金属结构。10.根据权利要求8所述的方法，其中，薄化所述第一模制化合物部分包括平坦化所述背面直到暴露出覆盖所述基板的所述升高部分的所述金属层，并使得在所述平坦化之后所述基板的所述升高部分保持被所述金属层覆盖，其中，形成所述一个或一个以上导电封装体引线包括掩蔽蚀刻覆盖所述基板的所述升高部分的所述金属层。11.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述基板包括：提供具有平坦外侧的金属片；和2CN107230641A权利要求书2/3页将所述平坦外侧转变成非平坦表面，从而形成所述第一侧的所述升高部分、所述凹进部分和所述竖直面。12.根据权利要求11所述的方法，其中，金属片包括不锈钢，转变所述平坦外侧包括压印、蚀刻和磨削中的至少一种。13.根据权利要求1所述的方法，还包括沿所述模制化合物结构的所述升高部分的外周形成凹槽。14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述凹