干刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107634007A(43)申请公布日2018.01.26(21)申请号201710824129.8(22)申请日2017.09.13(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人刘清召王久石赵磊(74)专利代理机构北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)11348代理人王伟锋刘铁生(51)Int.Cl.H01L21/3213(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称干刻蚀方法(57)摘要本发明公开了一种干刻蚀方法，涉及刻蚀工艺技术领域，主要目的是在含硅薄膜层刻蚀的过程中，不仅能够去除刻蚀残留，还能够减小对其他薄膜层的损伤，提高刻蚀质量。本发明的主要技术方案为：一种干刻蚀方法，包括：利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层中刻蚀掉所述第一预设厚度后产生的刻蚀残留；待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，使所述第三预设厚度小于所述第一预设厚度；其中，所述第一气体包括氯气，所述第二气体包括氟化物气体。本发明主要用于对薄膜晶体管基板刻蚀。CN107634007ACN107634007A权利要求书1/1页1.一种干刻蚀方法，其特征在于，包括：利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层中刻蚀掉所述第一预设厚度后产生的刻蚀残留；待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，使所述第三预设厚度小于所述第一预设厚度；其中，所述第一气体包括氯气，所述第二气体包括氟化物气体。2.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率大于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率；所述第二气体对所述含硅薄膜层中部的刻蚀速率小于对所述含硅薄膜层边缘四周的刻蚀速率。3.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的55％-75％；所述第二预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的10％-30％；所述第三预设厚度为所述含硅薄膜层厚度的10％-30％。4.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第一气体还包括六氟化硫气体，所述第一气体中六氟化硫气体和氯气的质量比例为1：30-1：20。5.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述第二气体还包括氧气，所述第二气体中氧气和氟化物气体的质量比例为：1：500-1：1.5。6.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述氟化物气体为六氟化硫气体或四氟化碳气体。7.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀方法的干刻温度为20-30摄氏度。8.根据权利要求1至7中任一项所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述干刻蚀方法中的任意刻蚀气体的气体压力范围均为30-50毫托。9.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度，以消除所述含硅薄膜层上的刻蚀残留，还包括，对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设厚度的过刻量为额定刻量的10％至20％。10.根据权利要求1所述的干刻蚀方法，其特征在于，所述待所述刻蚀残留消除后，利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第三预设厚度，还包括：对所述含硅薄膜刻蚀第三预设厚度的过刻量为15％至20％。2CN107634007A说明书1/5页干刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及刻蚀工艺技术领域，尤其涉及一种干刻蚀方法。背景技术[0002]在薄膜晶体管基板制造过程中需要采用到干刻工艺，其中，干刻工艺是采用低压气体在高频电场下生成的等离子体对基板进行轰击以起到刻蚀的作用，具体的，一方面，根据基板材料的不同，可以选择合适的气体与材料进行反应，以实现刻蚀去除的目的，另一方面，还可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使其具备一定的动能，当其轰击基板的表面时，会将基板中的物质击出，从而达到物理上的能量转移来实现刻蚀的目的。[0003]当传感器与薄膜晶体管基板集成时，需要对薄膜晶体管基板中硅化物材质的含硅薄膜层进行干刻工艺，而目前的干刻工艺在对含硅薄膜层进行刻蚀的过程中，对其它薄膜的损伤也很严重，无法保证干刻质量。发明内容[0004]有鉴于此，本发明实施例提供一种干刻蚀方法，主要目的是在含硅薄膜层刻蚀的过程中，不仅能够去除刻蚀残留，还能够减小对其他薄膜层的损伤，提高刻蚀质量。[0005]为达到上述目的，本发明主要提供如下技术方案：[0006]本发明实施例提供了一种干刻蚀方法，包括：[0007]利用第一气体对含硅薄膜层刻蚀第一预设厚度；[0008]利用第二气体对所述含硅薄膜层刻蚀第二预设