刻蚀方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111326416A(43)申请公布日2020.06.23(21)申请号202010250786.8(22)申请日2020.04.01(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人戴鸿冉(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人曹廷廷(51)Int.Cl.H01L21/3213(2006.01)H01L27/11521(2017.01)H01L27/11531(2017.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称刻蚀方法(57)摘要本发明提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次堆叠有控制栅层和浮栅层以及贯穿所述控制栅层和所述浮栅层的第一字线和第二字线。所述第一字线位于逻辑区，所述第二字线位于存储单元区。刻蚀第一厚度的第一字线；刻蚀所述逻辑区中的浮栅层和第二厚度的第一字线，以暴露所述逻辑区中的控制栅层；刻蚀所述逻辑区中的控制栅层和第三厚度的第一字线，以去除所述逻辑区中的控制栅层。因此，在逻辑区刻蚀中，通过先刻蚀第一厚度的第一字线，再同步刻蚀第一字线和浮栅层、控制栅层的同步刻蚀，避免了因第一字线刻蚀速率低而产生刻蚀残留。故所述刻蚀方法能够解决因刻蚀选择比而产生刻蚀残留的问题，保障工艺效果，节约工艺时间。CN111326416ACN111326416A权利要求书1/1页1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：提供一衬底，所述衬底上依次堆叠有控制栅层和浮栅层以及贯穿所述控制栅层和所述浮栅层的第一字线和第二字线；其中，所述衬底包括逻辑区和存储单元区，所述第一字线位于所述逻辑区，所述第二字线位于所述存储单元区；刻蚀第一厚度的所述第一字线；刻蚀所述逻辑区中的所述浮栅层和第二厚度的所述第一字线，以暴露所述逻辑区中的所述控制栅层；刻蚀所述逻辑区中的所述控制栅层和第三厚度的所述第一字线，以去除所述逻辑区中的所述控制栅层。2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，第一厚度的所述第一字线占所述第一字线总厚度的比例为9％～10％。3.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述第一厚度的所述第一字线以使得所述第一字线的上表面低于所述逻辑区中的所述浮栅层的上表面。4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，刻蚀所述第二厚度的所述第一字线后，以使得所述第一字线的上表面与所述逻辑区中的所述控制栅层的上表面齐平。5.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述第三厚度等于所述逻辑区中的所述控制栅层的厚度。6.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一厚度的所述第一字线，工艺条件包括：通入的刻蚀气体包括HBr和O2；且所述刻蚀气体压强的取值范围为20mT～50mT；HBr气流量的取值范围为300sccm～400sccm；O2气流量的取值范围为5sccm～10sccm；刻蚀时间的取值范围为30s～50s。7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述逻辑区中的所述浮栅层和第二厚度的所述第一字线，工艺条件包括：通入的刻蚀气体为含氟气体；且所述刻蚀气体的压强介于5mT～10mT；所述刻蚀气体的流量介于100sccm～200sccm；所述刻蚀气体的刻蚀时间介于60s～100s。8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述逻辑区中的所述控制栅层和第三厚度的所述第一字线，工艺条件包括：所述刻蚀气体包括HBr和O2；且所述刻蚀气体压强的取值范围为20mT～50mT；HBr气流量的取值范围为300sccm～400sccm；O2气流量的取值范围为5sccm～10sccm；刻蚀时间的取值范围为30s～50s。9.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在提供所述衬底的步骤中，所述浮栅层、所述第一字线以及所述第二字线上形成有保护层；在刻蚀第一厚度的所述第一字线的步骤之前，所述刻蚀方法还包括：通过干法刻蚀工艺刻蚀所述逻辑区中的所述保护层并使得所述浮栅层和所述第一字线裸露。10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在刻蚀所述逻辑区中的所述浮栅层和第二厚度的所述第一字线后，且在刻蚀所述逻辑区中的所述控制栅层和第三厚度的所述第一字线之前，所述刻蚀方法还包括：对所述逻辑区中的所述浮栅层进行过刻蚀；其中所述过刻蚀为干法刻蚀，通入的刻蚀气体包括CF4和CH2F2，所述刻蚀气体压强的取值范围为20mT～30mT；气流量的取值范围为60sccm～150sccm；刻蚀时间的取值范围为20s～40s。2CN111326416A说明书1/4页刻蚀方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制