一种硅片清洗工艺.pdf
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一种硅片清洗工艺.pdf
本发明公开了一种硅片清洗工艺,包括壳体,所述壳体内腔顶部的中端固定连接有紫外线灯管,且壳体内腔的底部固定连接有加热丝,所述壳体内腔的左下端固定连接有支撑板,且支撑板的顶端固定连接有套筒,所述套筒内腔的底部通过弹簧活动连接有刮杆,且刮杆的顶端固定连接有橡胶板,所述壳体内表面的中端活动安装有调节轮,壳体左侧的下端固定连接有第一支撑架,且第一支撑架内表面的左端活动安装有从动轮。本发明通过本工艺清洗的硅片,其具有清洗效果好、清洗速率快,且具有连续工业化清洗的优点,同时通过烘干装置,可有效对清洗完成后的硅片进行高效
一种晶体硅片的清洗工艺方法.pdf
本发明公开了一种用于晶体硅片的清洗工艺方法,包括以下步骤:1、将硅片进行酸腐蚀处理;2、将酸腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;3、再将硅片放入温度控制在60-80℃,体积浓度在10-20%的TMAH(四甲基氢氧化铵)溶液中进行1.5-3分钟的碱腐蚀处理;4、将碱腐蚀后的硅片用纯水进行清洗;5、然后将硅片流转至体积浓度在5-15%的HF混合溶液中浸泡,对硅片表面的氧化物进行有效去除;6、将酸洗后的硅片用纯水清洗;7、将以上处理过的硅片进行干燥处理。发明提出的工艺方法既可以保留原有的背面刻蚀和去PSG功能,又增加了
一种硅片清洗设备及清洗工艺.pdf
本发明提供一种硅片清洗设备及清洗工艺,依次包括预清洗部,将硅片上的污染物软化、分离、溶解;药液清洗部:去除硅片表面的油污;第一漂洗部:去除硅片表面残留的药液;化学液清洗部:去除有机物;第二漂洗部:去除硅片表面的化学液;慢提拉部:使硅片表面水分均匀;以及利用清洗设备的清洗工艺。本发明的有益效果是实现脏片率降低0.2%,制绒沾污不良降低0.8%,单片水耗降低166%,产量输出提高7.5%的效益,提高硅片表面洁净度,提高了清洗能力,解决了由于清洗能力不足造成的后道制绒沾污问题;节约成本,节能环保,具有生产效率高
硅片清洗制绒工艺.pdf
本发明公开了一种能够保便于制绒温度控制,同时保证硅片在进行硅片清洗、制绒过程中硅片始终处于湿润状态的硅片清洗制绒工艺。该硅片清洗制绒工艺,采用硅片清洗制绒装置实现,所述硅片清洗制绒装置包括硅片制绒槽、硅片转运装置以及硅片脱胶清洗装置;所述硅片转运装置设置在硅片制绒槽与硅片脱胶清洗装置之间;硅片清洗制绒工艺包括工艺步骤清洗和制绒;采用该硅片清洗制绒工艺制绒温度控精度高,整个工艺槽内化学反应稳定,可控,能够实现有效控制溶液的反应速度和挥发量,便于工艺调整;同时硅片在转运过程中经过喷淋可以保证硅片在运转过程中始
一种硅片线切割加工用清洗工艺.pdf
本发明公开一种硅片线切割加工用清洗工艺,其工艺包括喷淋冲洗、超声漂洗、水分控干、乳酸浸泡和浸泡洗净;本发明改变传统硅片的清洗脱胶工艺,将硅片在纯净水漂洗后进行水分控干操作,从而减小了硅片表面的水分残留,进而减少了硅片带入酸洗槽内的水量并降低了乳酸稀释速度,再配合不同浓度的乳酸溶液进行酸洗,提升脱胶效率,一定程度上节省了乳酸用量,脱胶效果也得到显著提升,不仅提高了硅片加工效率,还实现了节能降耗,避免了传统清洗脱胶困难的问题,可以为企业带来良好的经济效率。