柔性AMOLED基板及其制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108054192A(43)申请公布日2018.05.18(21)申请号201810055710.2(22)申请日2018.01.19(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430070湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人喻蕾李松杉(74)专利代理机构深圳市德力知识产权代理事务所44265代理人林才桂闻盼盼(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L51/00(2006.01)权利要求书3页说明书8页附图10页(54)发明名称柔性AMOLED基板及其制作方法(57)摘要本发明提供一种柔性AMOLED基板及其制作方法。本发明的柔性AMOLED基板的制作方法包括：形成柔性衬底，所述柔性衬底包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底上形成缓冲层，去除缓冲层上位于弯折区的部分，保留缓冲层上位于显示区的部分，使得柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度减小，提升柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性，从而提高生产良率。本发明的柔性AMOLED基板采用上述方法制得，所述柔性AMOLED基板的弯折区中的无机绝缘层的厚度较小，柔性AMOLED基板的弯折区的耐弯折性较好，生产良率高。CN108054192ACN108054192A权利要求书1/3页1.一种柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括：形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分。2.如权利要求1所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供刚性载板(10)，在所述刚性载板(10)上形成柔性衬底(11)，所述柔性衬底(11)包括显示区及位于显示区外围的弯折区；在所述柔性衬底(11)上形成缓冲层(12)，在所述缓冲层(12)上形成多晶硅层(13)；步骤2、采用一道半色调光罩制程同时对多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行图形化处理，得到有源层(20)，并且去除缓冲层(12)上位于弯折区的部分，保留缓冲层(12)上位于显示区的部分。3.如权利要求2所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2包括：步骤21、在所述多晶硅层(13)上形成光阻层(15)；提供半色调光罩(30)，所述半色调光罩(30)上设有第一区域(31)、第二区域(32)及除第一区域(31)与第二区域(32)以外的第三区域(33)；所述第一区域(31)对应于有源层预设位置，所述第二区域(32)对应于柔性衬底(11)的弯折区；步骤22、利用所述半色调光罩(30)对所述光阻层(15)进行曝光、显影，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第二区域(32)的部分完全显影掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分的厚度降低；步骤23、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)进行蚀刻，去除所述多晶硅层(13)与缓冲层(12)对应于柔性衬底(11)的弯折区的部分；步骤24、对所述光阻层(15)进行灰化处理，使所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第三区域(33)的部分完全去除掉，所述光阻层(15)上对应所述半色调光罩(30)的第一区域(31)的部分厚度降低；步骤25、以所述光阻层(15)为蚀刻阻挡层，对所述多晶硅层(13)进行蚀刻，得到有源层(20)；步骤26、将剩余的光阻层(15)从有源层(20)上剥离掉。4.如权利要求3所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为正性光阻，所述第二区域(32)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第一区域(31)的透光率。5.如权利要求3所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤21中，所述光阻层(15)的材料为负性光阻，所述第一区域(31)的透光率大于所述第三区域(33)的透光率，所述第三区域(33)的透光率大于所述第二区域(32)的透光率。6.如权利要求2所述的柔性AMOLED基板的制作方法，其特征在于，还包括：步骤3、在所述有源层(20)、缓冲层(12)、柔性衬底(11)上形成栅极绝缘层(40)，在所述栅极绝缘层(40)上形成栅极(41)；采用自对准技术以所述栅极(41)为掩膜板在所述有源层(20)的两端植入掺杂离子，形成源极接触区(21)与漏极接触区(22)以及位于所述源极接触区(21)与漏极接触