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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108165281A(43)申请公布日2018.06.15(21)申请号201711477435.5(22)申请日2017.12.29(71)申请人常州市尚科新材料有限公司地址213000江苏省常州市新北区奔牛镇九里村(72)发明人胡国宜胡锦平陈益蒋明跃奚小金(74)专利代理机构常州市江海阳光知识产权代理有限公司32214代理人孙晓晖(51)Int.Cl.C09K19/56(2006.01)C08G73/10(2006.01)G02F1/1337(2006.01)权利要求书1页说明书5页(54)发明名称液晶取向剂及其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了液晶取向剂及其制备方法和应用,该液晶取向剂包括有机溶剂和含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体,所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体是由二酐单体与含咪唑的二胺单体制成,所述含咪唑的二胺单体为含有单咪唑环的二胺单体或者含有双咪唑环的二胺单体或者含有多咪唑环的二胺单体,所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体的重量为液晶取向剂总重量的1~50%。本发明具有的积极效果:本发明的液晶取向剂制备的液晶取向膜不仅具有稳定的预倾角、高电压保持率以及低残留直流电压等基本特性,而且具有较低的离子浓度以及较好的耐摩擦性(硬度4H),能够用于高世代TFT液晶生产线。CN108165281ACN108165281A权利要求书1/1页1.一种液晶取向剂,其特征在于包括:(1)有机溶剂;(2)含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体。2.根据权利要求1所述的液晶取向剂,其特征在于:所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体是由二酐单体与含咪唑的二胺单体制成。3.根据权利要求2所述的液晶取向剂,其特征在于:所述含咪唑的二胺单体为含有单咪唑环的二胺单体或者含有双咪唑环的二胺单体或者含有多咪唑环的二胺单体。4.根据权利要求3所述的液晶取向剂,其特征在于:所述含咪唑的二胺单体为下述化合物a~化合物e中的任一种。5.根据权利要求1至4之一所述的液晶取向剂,其特征在于:所述二酐单体为均苯四甲酸二酐、丁烷四羧酸二酐、环丁烷四甲酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐、3,4-二羧基-1,2,3,4-四氢-1-萘琥珀酸二酐中的一种或者两种以上。6.根据权利要求1至4之一所述的液晶取向剂,其特征在于:所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体的重量为液晶取向剂总重量的1~50%。7.根据权利要求5所述的液晶取向剂,其特征在于:所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体的重量为液晶取向剂总重量的1~50%。8.权利要求1至7之一所述的液晶取向剂的制备方法,包括将二酐单体与含咪唑的二胺单体在有机溶剂中反应得到聚酰亚胺前驱体或者进一步脱水得到聚酰亚胺。9.权利要求1至7之一所述的液晶取向剂在制备高世代TFT液晶取向膜上的应用。2CN108165281A说明书1/5页液晶取向剂及其制备方法和应用技术领域[0001]本发明属于液晶取向剂技术领域,具体涉及一种聚酰亚胺液晶取向剂及其制备方法和应用。背景技术[0002]近年,液晶显示技术发展十分迅速,超过其他任何一项显示技术。伴随高世代TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)液晶生产线的建立,对液晶取向膜的各种特性要求也随之提高。[0003]稳定的预倾角、高电压保持率以及低残留直流电压是液晶取向膜基本特性,但是,若要满足高世代TFT的要求,还需要具有较好的耐摩擦性以及低离子浓度,而现有的液晶取向膜在这两方面不甚理想。发明内容[0004]本发明的目的在于解决上述问题,提供一种液晶取向剂及其制备方法和应用,由该液晶取向剂制得的液晶取向膜具有较好的耐摩擦性以及低离子浓度,能够满足高世代TFT的要求。[0005]实现本发明目的的技术方案是:一种液晶取向剂,包括:(1)有机溶剂;(2)含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体。[0006]所述有机溶剂为N-甲基吡咯烷酮、N,N’-二甲基甲酰胺、N,N’-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、环己酮、1,4-丁内酯中的一种或者两种以上(含两种),优选为N-甲基吡咯烷酮或者1,4-丁内酯。[0007]所述有机溶剂的重量为液晶取向剂总重量的1~99%,优选为50~99%。[0008]所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体的重量为液晶取向剂总重量的1~50%,优选为1~20%。[0009]所述含咪唑二胺的聚酰亚胺和/或其前驱体是由二酐单体与含咪唑的二胺单体制成。[0010]所述二酐单体为均苯四甲酸二酐、丁烷四羧酸二酐、环丁烷四甲酸二酐、环戊烷四羧酸二酐、1,2,4,5-环己烷四甲酸二酐、3,4-二羧基-1,2,3,4-四氢-1-萘琥珀酸二酐中的一种或者两种以上(含两种)。[0011]