液晶取向剂及其制备方法、液晶取向膜及其制备方法、液晶盒.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112778521A(43)申请公布日2021.05.11(21)申请号202011210131.4(22)申请日2020.11.03(71)申请人深圳市道尔顿电子材料有限公司地址518000广东省深圳市光明新区光明街道招商局光明科技园B3栋4C单元(72)发明人王胜林黎厚明苏江华(74)专利代理机构北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)11463代理人张丽(51)Int.Cl.C08G73/10(2006.01)C09K19/56(2006.01)G02F1/1337(2006.01)权利要求书4页说明书13页(54)发明名称液晶取向剂及其制备方法、液晶取向膜及其制备方法、液晶盒(57)摘要本发明提供一种液晶取向剂及其制备方法、液晶取向膜及其制备方法、液晶盒，涉及液晶取向剂领域。本发明通过在液晶取向剂中添加哌嗪单体，能够降低液晶取向剂材料的体阻值与面阻值，有效提升取向剂材料释放残余电荷的能力，进而提高电子产品的可靠性及稳定性。采用本发明液晶取向剂的液晶盒具有高电压保持率、低残留电压等优点。CN112778521ACN112778521A权利要求书1/4页1.一种液晶取向剂，其特征在于，包括：二胺单体、二酐单体、哌嗪单体以及溶剂，所述哌嗪单体的结构通式为：其中，R表示胺基基团或者酸酐基团。2.如权利要求1所述的液晶取向剂，其特征在于，所述哌嗪单体与所述二胺单体的摩尔数之比为1～100：100；优选的，所述哌嗪单体包括下述结构式所示的化合物中的一种或多种：3.如权利要求1所述的液晶取向剂，其特征在于，所述二胺单体包括第一二胺化合物和第二二胺化合物；所述第一二胺化合物包括结构通式为通式Ⅰ或通式Ⅱ所示的化合物中的至少一种：通式Ⅰ中，A表示化学键、烷基链CnH2n，n＝1-20、-O-、-NH-、-S-或-SO2-，R表示-H或者-CH3；2CN112778521A权利要求书2/4页通式Ⅱ中，R表示-H或者-CH3；所述第二二胺化合物包括结构通式为通式Ⅲ或通式Ⅳ所示的化合物中的至少一种：通式Ⅲ中，R表示烷基链CnH(2n+1)，n＝1-50；通式Ⅳ中，R表示烷基链CnH(2n+1)，n＝1-50。4.如权利要求3所述的液晶取向剂，其特征在于，所述第一二胺化合物的摩尔数占所述二胺单体的总摩尔数的0.01-99.9％，优选为10-99.9％，更优选为50-99.9％；优选的，所述第一二胺化合物包括以下化合物中的一种或多种：3CN112778521A权利要求书3/4页优选的，所述第二二胺化合物包括以下化合物中的一种或多种：5.如权利要求1所述的液晶取向剂，其特征在于，所述液晶取向剂的固含量为1-10％；优选的，所述二胺单体和所述二酐单体的摩尔比为(80-100)：(80-100)，优选为(90-100)：(90-100)，更优选为100：100；优选的，所述溶剂包括N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、间甲酚及四氢呋喃中的一种或多种；优选的，所述液晶取向剂还包括流平剂，所述流平剂包括乙酸乙酯、乙二醇单丁醚、二乙二醇二乙醚、二丙酮醇、乙二醇丁醚乙酸酯中的一种或多种；优选的，所述流平剂在所述液晶取向剂中的添加量为0-80wt％。6.权利要求1-5任一项所述的液晶取向剂的制备方法，其特征在于，包括：将包括所述二胺单体、所述二酐单体、所述哌嗪单体以及所述溶剂在内的原料混合后反应；4CN112778521A权利要求书4/4页可选的，所述反应的温度条件为-15℃-100℃，优选为0℃-80℃，更优选为20℃-60℃；可选的，所述反应的时间为0.5-48小时，优选为1-24小时，更优选为2-12小时；优选的，所述混合及反应在保护气氛环境中进行；优选的，所述保护气氛为氩气或氮气；优选的，反应后的体系的固含量为10-50％，更优选为12-40％，进一步优选为15-30％；优选的，所述制备方法还包括：在反应后的体系中添加流平剂；优选的，所述制备方法还包括：在反应后的体系中进一步添加所述溶剂以对反应体系进行稀释；优选的，稀释后的反应体系的固含量为1-10％。7.一种液晶取向膜的制备方法，其特征在于，包括：将权利要求1-5任一项所述的液晶取向剂经成膜、固化后，制得所述液晶取向膜。8.如权利要求7所述的液晶取向膜的制备方法，其特征在于，所述成膜包括：将所述液晶取向剂涂布于基板上并通过烘烤去除溶剂；优选的，所述烘烤的温度为60～120℃，烘烤时间为10～20min；优选的，所述固化包括：将成膜后的基板在200～250℃的温度条件下进行亚胺化处理；优选的，亚胺化处理的时间为30～90min；优选的，所述制备方法还包括：对固化后的薄膜进行摩擦处理。9.一种