用于制造发射辐射的半导体芯片的方法和发射辐射的半导体芯片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108475709A(43)申请公布日2018.08.31(21)申请号201780005734.0菲利普·德雷克塞尔(22)申请日2017.02.22(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司1(30)优先权数据1227102016103346.42016.02.25DE代理人丁永凡张春水(85)PCT国际申请进入国家阶段日(51)Int.Cl.2018.07.04H01L33/00(2006.01)H01L33/24(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2017/0540162017.02.22(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/144512DE2017.08.31(71)申请人欧司朗光电半导体有限公司地址德国雷根斯堡(72)发明人维尔纳·贝格鲍尔托马斯·伦哈特于尔根·奥弗利斯·拉乌尔卡德权利要求书2页说明书6页附图4页(54)发明名称用于制造发射辐射的半导体芯片的方法和发射辐射的半导体芯片(57)摘要提出一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：-提供生长衬底(1)，-将缓冲层(3)外延生长到生长衬底(1)上，其中在缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，-将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延生长到缓冲层(3)上，其中V形坑(4)的结构延续到有源的半导体层序列(5)中，-将另一层序列(9)外延地生长到有源的半导体层序列(5)上，其中V形坑(4)的结构延续到该另一层序列(9)中，-从V形坑(4)的棱面(8)选择性地移除该另一层序列(9)，其中该另一层序列(9)在有源的半导体层序列(5)的主面(12)上保留，和-外延地生长p型掺杂的半导体层(15)，所述半导体层完全地或部分地填充V形坑(4)。还提出一种半导体芯片，所述半导体芯片能够借助该方法制造。CN108475709ACN108475709A权利要求书1/2页1.一种用于制造发射辐射的半导体芯片的方法，所述方法具有如下步骤：-提供生长衬底(1)，-将缓冲层(3)外延地生长到所述生长衬底(1)上，其中在所述缓冲层(3)中产生多个V形坑(4)，-将产生辐射的有源的半导体层序列(5)外延地生长到所述缓冲层(3)上，其中所述V形坑(4)的结构延续到所述有源的半导体层序列(5)中，-将另一层序列(9)外延地生长到所述有源的半导体层序列(5)上，其中所述V形坑(4)的结构延续到所述另一层序列(9)中，-从所述V形坑(4)的棱面(8)选择性地移除所述另一层序列(9)，其中所述另一层序列(9)在所述有源的半导体层序列(5)的主面(12)上保留，和-外延地生长p型掺杂的半导体层(15)，所述p型掺杂的半导体层完全地或部分地填充所述V形坑(4)。2.根据上一项权利要求所述的方法，其中-所述有源的半导体层序列(5)具有多个量子膜(6)，所述量子膜通过势垒层(7)彼此分开，和-所述量子膜(6)具有InGaN，并且所述势垒层(7)具有GaN或AlGaN。3.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述另一层序列(9)完全地从所述V形坑(4)的所述棱面(8)移除，使得所述p型掺杂的半导体层(15)在所述棱面(8)处与所述有源的半导体层序列(5)直接接触。4.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中所述另一层序列(9)由交替设置的AlGaN层(10)和InGaN层(11)形成，或者由交替设置的AlGaN层和GaN层形成，由交替设置的InGaN层和GaN层形成。5.根据上一项权利要求所述的方法，其中所述另一层序列(9)在所述V形坑(4)的所述棱面(8)上的厚度与在所述有源的半导体层序列(5)的主面(12)上相比更薄地构成。6.根据权利要求4或5所述的方法，其中施加到所述V形坑(4)的所述棱面(8)上的所述另一层序列(9)的铝含量和/或铟含量相对于施加到所述有源的半导体层序列(5)的所述主面(12)上的所述另一层序列(9)的铝含量和/或铟含量降低。7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，其中通过在外延反应器中的刻蚀，在原位选择性地从所述V形坑(4)的所述棱面(8)移除所述另一层序列(9)。8.根据上一项权利要求所述的方法，其中在所述外延反应器之内，相对于在外延生长工艺期间的氢含量，提高在刻蚀工艺期间的氢含量。9.一种发射辐射的半导体芯片，所述半导体芯片包括：-外延的生长衬底(1)，-有源的产生辐射的层序列(5)，和-在所述产生辐射的层序列(5)上的另一层序列(9)，和2CN108475709A权利要求书2/2页-p型掺杂的半导体层(15)，其中-多个V形坑(4)从所述另一层序列(9)开始延伸穿过所述另一层序列(9)和所述产生辐射的半导体层序列(5)，所述V形坑从所述另