OLED显示基板及其制作方法、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108538782A(43)申请公布日2018.09.14(21)申请号201810413834.3(22)申请日2018.05.03(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人刘凤娟(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人许静张博(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/32(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称OLED显示基板及其制作方法、显示装置(57)摘要本发明提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板的制作方法包括：在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。通过本发明的技术方案，能够去除阳极层上残留的异物，防止出现显示Mura现象，提高显示装置的显示品质。CN108538782ACN108538782A权利要求书1/1页1.一种OLED显示基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层的刻蚀选择比大于所述第一导电层。3.根据权利要求2所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述阳极过渡层仅包括所述第一导电层和所述第二导电层。4.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层采用透明导电材料，所述第二导电层采用Mo和Al中的至少一种。5.根据权利要求4所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层包括：对所述第二导电层进行湿刻，去除所述第二导电层暴露于所述开口区域的部分。6.根据权利要求5所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，湿刻采用的刻蚀液选自醋酸、硝酸和磷酸。7.根据权利要求6所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述第二导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率为所述第一导电层在所述刻蚀液中的刻蚀速率的10倍以上。8.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，所述去除所述开口区域暴露的所述第二导电层的步骤之后，所述制作方法还包括：依次进行发光层和阴极的制备。9.一种OLED显示基板，其特征在于，采用如权利要求1-8中任一项所述的制作方法制作得到。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的OLED显示基板。2CN108538782A说明书1/5页OLED显示基板及其制作方法、显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。背景技术[0002]现有OLED显示基板的制作工艺中，首先形成阳极层的图形，再制备有机的像素界定层(PDL)，之后进行像素界定层后烘等工序，最后进行发光层和阴极层的蒸镀。在PDL后烘的工序中，由于有机材料未完全固化，会释放大量气体及物质吸附在后烘腔室，所以有机材料的后烘腔室的洁净度比较低，当基板在此腔室中进行后烘时，无法避免地会有些异物掉落在基板上，异物的尺寸比较小，通过清洗无法完全去除。在随后的发光层和阴极层的蒸镀过程中，异物就会残留在发光层中，后期封装盖板与OLED显示基板压盒的过程中，异物将会对发光层和阴极层造成损伤，造成显示Mura(亮斑、黑点、黑斑等)现象，影响显示装置的显示品质。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够去除阳极层上残留的异物，防止出现显示Mura现象，提高显示装置的显示品质。[0004]为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：[0005]一方面，提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：[0006]在基板上制作至少包括第一导电层和第二导电层的阳极过渡层，所述第一导电层位于所述第二导电层和所述基板之间；[0007]在形成有所述阳极过渡层的基板上制作像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口区域；[0008]在完成所述像素界定层的后烘工艺后，去除所述开口区域暴露的所述第二导电层。[0009]进一步地