一种半导体器件及其制作方法、电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108695289A(43)申请公布日2018.10.23(21)申请号201710218258.2H01L21/60(2006.01)(22)申请日2017.04.05(71)申请人中芯国际集成电路制造（北京）有限公司地址100176北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号申请人中芯国际集成电路制造（上海）有限公司(72)发明人刘瑛(74)专利代理机构北京市磐华律师事务所11336代理人高伟张建(51)Int.Cl.H01L23/492(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图5页(54)发明名称一种半导体器件及其制作方法、电子装置(57)摘要本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底部金属层底部的部分；在所述底部金属层上设置焊球以形成用于封装的凸块。该半导体器件的制作方法可以减小底部金属层中的砍口，降低焊球掉落的风险。该半导体器件和电子装置具有类似的优点。CN108695289ACN108695289A权利要求书1/1页1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁上形成保护层；去除所述种子层位于所述底部金属层底部之外的部分，保留位于所述底部金属层底部的部分；在所述底部金属层上设置焊球以形成用于封装的凸块。2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述底部金属层的顶部形成保护层。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述底部金属层的方法包括：在所述种子层上形成第一图形化的光刻胶层，所述第一图形化的光刻胶层具有暴露拟形成所述底部金属层的区域的第一开口；在所述第一开口中形成位于所述种子层之上的所述底部金属层；去除所述第一图形化的光刻胶层。4.根据权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一开口的尺寸小于所述凸块的目标尺寸。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述底部金属层的侧壁上形成所述保护层的方法包括；在所述半导体衬底上形成第二图形化的光刻胶层，所述第二图形化的光刻胶层具有暴露所述底部金属层的所述侧壁的第二开口；在所述底部金属层的所述侧壁上形成所述保护层。6.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二图形化的光刻胶层遮蔽所述底部金属层顶部的中间区域而露出所述底部金属层顶部的外侧区域。7.根据权利要求5所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二开口的尺寸与所述凸块的目标尺寸一致。8.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层与所述焊球采用相同的材料。9.根据权利要求8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述保护层采用锡银合金。10.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有种子层和位于所述种子层之上的底部金属层；在所述底部金属层的侧壁以及所述种子层上形成有保护层；在所述底部金属层上形成有焊球。11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述保护层与所述焊球采用相同的材料。12.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求10或11所述的半导体器件以及与所述半导体器件连接的电子组件。2CN108695289A说明书1/7页一种半导体器件及其制作方法、电子装置技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制作方法、电子装置。背景技术[0002]晶圆级芯片规模封装(WaferLevelChipScalePackaging，简称WLCSP)，是一种先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成一个个的IC颗粒的封装测试方法。晶圆级芯片规模封装由于封装后的体积等同IC裸晶的原尺寸，具有缩小尺寸，提升速度的优点受到越来越广泛的关注和应用。[0003]晶圆级芯片规模封装方法需要先在晶圆上形成用于封装的凸块(bump)，形成凸块的方法其中一种常用的方法是置球方法，其一般先在晶圆形成种子层(seedlayer),然后通过光刻定义底部金属层(UBM)的区域并通过电镀形成底部金属层，然后去除光刻胶层以及底部金属层之外的种子层，然后在底部金属层上放置焊球并执行回流形成最终的焊球凸块。在去除底部金属层之外的种子层时通常也会去除部分底部金属层，造成最后的焊球凸块底部存在砍口(undercut)，对产品造成影响。因此传统的晶圆级芯片规模封装