一种OLED器件、OLED显示面板及OLED显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109449309A(43)申请公布日2019.03.08(21)申请号201811274786.0(22)申请日2018.10.30(71)申请人合肥鑫晟光电科技有限公司地址230012安徽省合肥市新站区工业园内申请人京东方科技集团股份有限公司(72)发明人李必生范文金李保然尹利(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人刘悦晗陈源(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种OLED器件、OLED显示面板及OLED显示装置(57)摘要本发明提供一种OLED器件、OLED显示面板及OLED显示装置，通过在基底和阳极层之间设置包括第一量子点颗粒的第一防反射层，利用第一量子点颗粒破坏界面全反射条件，将限于光波导模式的光引出，从而提升OLED器件的出光效率；量子点具有可见光高透特性以及光致发光特性，可吸收短波段的蓝光和紫外光，而保留长波段的可见光，从而增强出射光的色域宽度、色彩纯度和光强；第一防反射层可以通过涂覆、印刷工艺实现，相比现有的利用光刻技术和纳米压印技术制作微观结构的方案，制作工艺简单，成本较低。CN109449309ACN109449309A权利要求书1/1页1.一种OLED器件，包括：基底以及设置在所述基底上的阳极层，其特征在于，还包括第一防反射层，所述第一防反射层内设置有多个第一量子点颗粒，且所述第一防反射层位于所述基底和所述阳极层之间，或者，所述基底远离所述阳极层的一侧。2.如权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，还包括第二防反射层，所述第二防反射层内设置有多个第二量子点颗粒；当所述第一防反射层位于所述基底和所述阳极层之间时，所述第二防反射层位于所述基底远离所述阳极层的一侧；当所述第一防反射层位于所述基底远离所述阳极层的一侧时，所述第二防反射层位于所述基底和所述阳极层之间。3.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述第一防反射层和/或所述第二防反射层的厚度为10-500纳米。4.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述第一防反射层和/或所述第二防反射层的材料为透明材料。5.如权利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述第一防反射层和/或所述第二防反射层的材料为氧化锌或硒化锌。6.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述第一量子点颗粒和/或所述第二量子点颗粒的尺寸为1-10纳米。7.如权利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述第一量子点颗粒的尺寸不完全相同，和/或，所述第二量子点颗粒的尺寸不完全相同。8.如权利要求1-7任一项所述的OLED器件，其特征在于，还包括依次形成在所述阳极层上的空穴传输层、有机发光层、电子传输层和阴极层。9.一种OLED显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的OLED器件。10.一种OLED显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的OLED显示面板。2CN109449309A说明书1/4页一种OLED器件、OLED显示面板及OLED显示装置技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种OLED器件、OLED显示面板及OLED显示装置。背景技术[0002]OLED(OrganicLight-emittingDiode，有机电致发光二极管)具有的快速响应、高对比度、低功耗、广视角等优点，使其在显示领域以及照明领域具有很大的应用前景。[0003]如图1所示，现有的OLED器件包括：基底1、阳极层2、空穴传输层3、有机发光层4、电子传输层5、阴极层6。空穴和电子分别从阳极层2和阴极层6注入，并在空穴传输层3与电子传输层5中传输，最后在有机发光层4中激子复合发光。有机发光层4发出的光从基底1出射，由于用ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)材料制备的阳极层2的折射率为1.8-2.1，玻璃基底1的折射率为1.52，空气的折射率为1，上述层结构之间折射率差异过大，全反射临界角较小，导致在阳极层2与基底1界面以及基底1与空气界面发生全反射现象(光密介质到光疏介质)。出射光损耗主要包括以下几方面：1、基底1与空气界面的全反射，导致一部分光无法出射，而是在器件内部损耗或者从边缘出射，此部分光约占出射光整体比例的30％；2、阳极层2与基底1界面的全反射引起光波导效应，光被限制在阳极层2与有机发光层4中并被不断反射与吸收损耗，此部分光占出射光整体比例的50％。因此，从OLED器件最终出射的光只占整体比例的20％左右，出光率较低，严重影响OLED器件的使用。[0004]目前主要是利用光刻技术和纳米压印技术制作周期性微观结构以解决上述问题。具体的，在基底与空气界面利用光刻技术构建微透镜