用于在基板上形成线结构的自下而上法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109478558A(43)申请公布日2019.03.15(21)申请号201780030699.8(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通(22)申请日2017.03.21合伙)11371代理人王晖李丙林(30)优先权数据1604818.32016.03.22GB(51)Int.Cl.H01L29/06(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B82B3/00(2006.01)2018.11.16(86)PCT国际申请的申请数据PCT/EP2017/0567392017.03.21(87)PCT国际申请的公布数据WO2017/162696EN2017.09.28(71)申请人XTPL股份有限公司地址波兰弗罗茨瓦夫(72)发明人菲利普·格拉内克兹比格涅夫·罗齐内克权利要求书5页说明书28页附图20页(54)发明名称用于在基板上形成线结构的自下而上法(57)摘要提供了一种用于在基板上形成结构的方法。该方法包括：将流体沉积到基板上以便限定湿润区域，该流体包含可电性极化的纳米粒子；使用第一电极和第二电极向该区域上的流体施加交变电场，使得多个纳米粒子被聚集以形成从第一电极朝向第二电极延伸的伸长结构；以及移除该流体使得该伸长结构留存在基板上。CN109478558ACN109478558A权利要求书1/5页1.一种用于在基板上形成结构的方法，所述方法包括：将流体沉积到基板上以便限定湿润区域，所述流体包含可电性极化的纳米粒子；使用第一电极和第二电极向所述区域上的所述流体施加交变电场，使得多个所述纳米粒子被聚集以形成从所述第一电极朝向所述第二电极延伸的伸长结构；以及移除所述流体使得所述伸长结构留存在所述基板上，所述方法还包括：在施加所述交变电场的步骤期间，通过使所述第二电极远离所述第一电极移动来增加所述第一电极与所述第二电极之间的间距，以便使所述伸长结构朝向所述第二电极进一步延伸。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所聚集的伸长结构的长度增加的速率与所述第一电极和所述第二电极之间的间距增加的速率之间的关系使所述结构的端部部分与电极之间的间距满足：在所述流体的接近所述电极和所述结构的端部部分的区域中的电场引起在该区域中的可移动纳米粒子聚集在所述结构的该端部部分上。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，还包括：监测所述伸长结构的长度增加的速率；以及根据监测到的速率调整所述交变电场的性质，使得所述伸长结构的长度以预定速率增加。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，当向所述流体施加所述电场时，所述第一电极和所述第二电极中的每一个电极在所述流体内的相应的第一位置和第二位置处与所述流体接触。5.根据权利要求4所述的方法，其中，将所述第一电极的端部部分定位在所述第一位置处，使得所述伸长结构的第一端部被定位在所述基板上的预定的第一端部位置处。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电极被成形为使得每个电极都充当电单极，从而在向所述电极施加电势时在所述流体中产生不均匀的电场。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电极包括在所述电场存在的情况下与所述流体不起反应的材料。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电极中的至少一个电极具有包括尖状端部的伸长形状，并且其中，向所述流体施加交变电场包括使所述电极中的每个电极的尖状端部与所述流体接触。9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述尖状端部具有1-100μm的直径，并且其中，所述尖状端部的长度大于所述流体的表面在所述基板上方的最大高度。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，施加所述电场使得介电泳力被施用在多个纳米粒子上。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电场使所述流体内的可移动纳米粒子经由介电泳力被吸引到所聚集的结构。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述流体内的可移动纳米粒子被吸引到所聚集的伸长结构的远离所述第一电极的端部部分，并且其中，通过将可移动纳米粒子逐步地附着到所述结构的端部部分来增加所述伸长结构的长度。13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述电场具有直流偏压，并且其中，所述直流偏压使得：所述结构的第一端部通过使所述流体内的可移动纳米粒子附着于所述2CN109478558A权利要求书2/5页第一电极来形成。14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一电极或所述第二电极包括导管，并且其中，经由所述导管将所述流体沉积到所述基板上。15.根据当从属于权利要求1时的权利要求14所述的方法，其中，当使包括所述导管的所述电极远离其他电极移动时，经由所述导管将所述流体沉积到所述基板上。16.根据前述权利要求