一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109713113A(43)申请公布日2019.05.03(21)申请号201811509472.4(22)申请日2018.12.10(71)申请人深圳市立洋光电子股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道上屋社区石环路202号创富科技园B栋3-5层(72)发明人秦胜研屈军毅马志华覃吉璋(74)专利代理机构深圳中细软知识产权代理有限公司44528代理人仉玉新(51)Int.Cl.H01L33/52(2010.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用(57)摘要本发明属于COBLED制备领域，尤其涉及一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用。本发明提供了一种封装方法，包括：前处理、封胶以及沉淀：一次经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为20℃～30℃，所述加速沉淀的温度为45℃～95℃。本发明还提供了一种上述封装方法在COBLED封装领域的应用。经实验测定可得，本发明提供的封装方法，荧光粉可沉降95％以上，胶水中基本无荧光粉残留；进一步地，通过本发明提供的技术方案所封装得到的COBLED产品，其耐热性可提高3～20℃，入BIN良率提高1～10％。本发明提供的一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，解决了现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。CN109713113ACN109713113A权利要求书1/1页1.一种封装方法，其特征在于，所述封装方法包括：步骤一、前处理：待封装产品除湿，得第一产物；步骤二、封胶：胶水和荧光粉混合得封装胶，所述封装胶注入第一产物的表面封胶，得第二产物；步骤三、沉淀：所述第二产物经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为20℃～30℃，所述加速沉淀的温度为45℃～95℃。2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述步骤二和步骤三在支撑面上进行。3.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，步骤一中，所述除湿的方法为：以120～150℃烘烤1～4h。4.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，步骤二中，以质量份计，所述胶水和荧光粉的投料比为10:(0.2～5)。5.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述胶水的折射率为1.4～1.41，所述胶水的硬度为shoreA25～75，所述胶水的混合粘度为2000～20000mPa.s，所述胶水的密度为1.0g/cm2，所述胶水的拉伸强度为1.5～6mpa。6.根据权利要求1或2所述的封装方法，其特征在于，所述荧光粉选自：铝酸盐、硅酸盐以及氮化物中的任意一种或多种。7.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于，所述封装胶的折射率为1.4～1.41时，所述静置沉淀的温度为20～30℃，所述静置沉淀的湿度为30～80RH％，所述静置沉淀的时间为0.5～4h，所述加速沉淀的温度为45～95℃，所述加速沉淀的湿度为10～80RH％，所述加速沉淀的时间为1～4h。8.一种包括权利要求1至7任意一项所述的封装方法在COBLED封装领域的应用。2CN109713113A说明书1/4页一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用技术领域[0001]本发明属于COBLED制备领域，尤其涉及一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用。背景技术[0002]现有的COBLED封装工艺，为了提升COBLED产品的耐热及光电转换效率，多采用荧光粉沉降工艺，但限于COBLED的面光源结构，大多数COBLED在白光封胶过程中，沉降的并不完全，约有15％及以上荧光粉仍然存于胶水当中，未能沉降到基板表面，只能沉降约85％。[0003]现有技术中，由于荧光粉的沉降不完全，荧光粉仍存在于胶水当中，无法提升COBLED的耐热性和光电转换效率，严重影响COBLED的品质。[0004]因此，研发出一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，用于解决现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷，成为了本领域技术人员亟待解决的问题。发明内容[0005]有鉴于此，本发明提供了一种封装方法及其在COBLED封装领域的应用，用于解决现有技术中，荧光粉封装工艺存在着荧光粉沉降不完全的技术缺陷。[0006]本发明提供了一种封装方法，所述封装方法包括：[0007]步骤一、前处理：待封装产品除湿，得第一产物；[0008]步骤二、封胶：胶水和荧光粉混合得封装胶，所述封装胶注入第一产物的表面封胶，得第二产物；[0009]步骤三、沉淀：所述第二产物经静置沉淀和加速沉淀，得封装产品，所述静置沉淀的温度为23℃～27℃，所述加速沉淀的温度为60℃～70℃。[0010]优选地，所述步骤二和步骤