一种激光晶圆打标装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109759698A(43)申请公布日2019.05.17(21)申请号201910191734.5(22)申请日2019.03.14(71)申请人苏州福唐智能科技有限公司地址215123江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区2幢506(72)发明人陈洁(51)Int.Cl.B23K26/142(2014.01)B23K26/36(2014.01)B23K26/402(2014.01)B23K26/70(2014.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称一种激光晶圆打标装置(57)摘要本发明提供了一种激光晶圆打标装置，其在进行激光打标之前，沿着打标的移动方向，第一密封腔内释放氮气清洁气体，对晶圆上预先残留物进行清扫，同时利用真空抽气进行残留物的排出；在进行激光打标时，沿着打标的移动方向，第二密封腔内释放氮气清洁气体，对堆积物进行清扫，同时利用真空抽气进行堆积物的排出。这样能够防止晶圆划伤或割断。CN109759698ACN109759698A权利要求书1/1页1.一种激光晶圆打标装置，包括：壳体，其为圆柱状，具有一底面，所述底面上具有一凹槽，所述凹槽具有一定的深度；环形的第一密封圈，设置于所述底面的最外围，且环绕在所述凹槽周围；环形的第二密封圈，设置于所述底面的所述第一密封圈的内侧且与第一密封圈中心重合；相较于所述第一密封圈，所述第二密封圈更靠近所述凹槽；所述第一密封圈和第二密封圈之间的部分形成密封腔；两个隔离密封条，设置于所述第一密封圈和第二密封圈之间，并将所述密封腔等分为第一密封腔和第二密封腔；其中，所述装置的移动方向为第一方向，而所述隔离密封条沿着垂直于所述第一方向的第二方向延伸；所述第一密封腔和第二密封腔内分别设置有真空抽气口和氮气清洁口；可伸缩激光头，设置于所述壳体内，且从所述凹槽内露出。2.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为单个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。3.根据权利要求2所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在所述真空抽气口的两侧。4.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述真空抽气口为两个弧形的条状口，所述真空抽气口关于所述第一方向对称。5.根据权利要求4所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：在所述第一密封腔内或者在所述第二密封腔内，所述氮气清洁口为多个圆形口，所述氮气清洁口均匀分布在两个所述真空抽气口的之间。6.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：还包括隔热圈，所述隔热圈设置在所述第二密封圈与所述凹槽之间。7.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述真空抽气口通过所述壳体内的抽气管与外部真空装置连接。8.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述氮气清洁口通过所述壳体内的输气管与外部供气装置连接。9.根据权利要求1所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同，例如均可以是橡胶材料或弹性塑料。10.根据权利要求9所述的激光晶圆打标装置，其特征在于：所述隔离密封条与所述第一密封圈和第二密封圈的材质相同。2CN109759698A说明书1/3页一种激光晶圆打标装置技术领域[0001]本发明涉及半导体工件加工领域，具体为一种激光晶圆打标装置。背景技术[0002]晶圆下线之后的第一步是在晶圆表面打标，打标是采用激光(laser)在晶圆的12点钟方向打出晶圆的批号。而批号实际上是由激光在晶圆表面打出的众多小孔组成的。激光在挖孔的同时，会把挖孔的副产物(硅，Si)堆积在孔的旁边，堆积物过高会导致后续化学机械抛光(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)的刮伤。对打标异常的晶圆切片发现：堆积物最多可以达到8000nm以上，而正常情形下应该小于1000nm。因此，该打标异常的晶圆进行到STI-SMP步骤时，CMP会在机械力的作用下将突起的部分割断，割断的部分会在晶圆表面划伤有源区SiN。还有一种情形是当打标机台出现异常的时候，打标孔旁边堆积物的厚度会出现异常，在后续的浅沟槽隔离二氧化硅-化学机械抛光(STI-CMP)步骤会造成晶圆划伤，因此需要对打标过程中打标孔周围堆积物进行去除。发明内容[0003]基于解决上述问题，本发明提供了一种激光晶圆打标装置，包括：壳体，其为圆柱状，具有一底面，所述底面上具有一凹槽，所述凹槽具有一定的深度；环形的第一密封圈，设置于所述底面的最外围，且环绕在所述凹槽周围；环