内容提供者
形成自对准通孔的方法.pdf
2023-11-15
10金币
2.8MB
32页
文阁****23
实名认证
内容提供者
1/10
2/10
3/10
4/10
5/10
6/10
7/10
8/10
9/10
10/10
亲，该文档总共32页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～
相关资料
形成自对准通孔的方法.pdf
描述多种处理方法，所述方法包括：透过掩模选择性正交地生长第一材料，而提供扩展的第一材料。可移除该掩模，而留下从该第一材料的表面正交延伸的该扩展的第一材料。进一步的处理可产生自对准通孔。
2023-11-15
10
2.8MB
自对准形成接触孔的方法、器件的制备方法、器件及设备.pdf
本发明提供了一种自对准形成接触孔的方法，包括在衬底上形成若干第一凹槽；在每个所述第一凹槽中依次生成栅极氧化层以及屏蔽栅，并在屏蔽栅的顶部形成栅间氧化层，然后在第一凹槽内填充栅极材料；对填充的栅极材料进行刻蚀，以去除部分栅极材料，形成栅极空腔，第一凹槽中剩余的栅极材料形成栅极；并刻蚀掉所述栅极空腔周围的衬底和栅极氧化层以形成衬底空腔，栅极空腔和衬底空腔构成栅极帽空腔；形成源区\阱区；在栅极帽空腔中填充层间介质层，以形成栅极帽；以栅极帽为掩膜选择性刻蚀所述源区\阱区，形成接触孔。解决了刻蚀的接触孔同栅极之间的
2023-07-16
10
1.1MB
自对准接触孔的制备方法.pdf
本发明提供一种自对准接触孔的制备方法，在自对准接触孔工艺的刻蚀、干法去胶以湿法清洗等各个阶段过程中均实施了对聚合物分布情况的监测和控制，并将收集的前一步骤后的聚合物分布情况反馈到后一步骤中的工艺配方中，从而使得后一步骤中具有较高的去除率/刻蚀率、良好的去除均匀性、可控的开口和接触孔侧壁形貌和特征尺寸以及较少的下层膜层的损伤等，大大改善了所述后一步骤后的工艺效果，进而可以保证自对准接触孔刻蚀的均一性，避免晶圆边缘区域的自对准接触孔中的聚合物残留过多，提高器件的电学性能和良率。
2023-11-20
10
1.3MB
自对准接触孔的工艺方法.pdf
本发明公开了一种自对准接触孔的工艺方法，包含：步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；再对栅极上的氮氧化硅进行回刻蚀；对栅极进行快速热退火或炉管，从而形成栅极二氧化硅保护层；步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极侧墙上和栅极顶部的氮氧化硅；进行源漏区注入及形成钴硅合金；步骤四，形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨，进行接触孔刻蚀。本发明有更高的
2023-06-17
10
1MB
形成自对准帽的方法和设备.pdf
使衬底上方的介电层中的至少一根导电线凹进以形成沟道。所述沟道自对准于所述导电线。能够通过使用包括提供独立于晶体取向的刻蚀的均匀性的抑制剂的化学物质来将所述导电线刻蚀至预定的深度而形成所述沟道。将阻止电迁移的帽层沉积于所述沟道中的所述凹进的导电线上。所述沟道被配置为使所述帽层包含在所述导电线的所述宽度内。
2023-07-16
10
1.7MB