激光切割用辅助片.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109819677A(43)申请公布日2019.05.28(21)申请号201780058739.X(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司1(22)申请日2017.08.091021代理人张玉玲(30)优先权数据2016-1983002016.10.06JP(51)Int.Cl.H01L21/78(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日B23K26/38(2014.01)2019.03.22B23K26/70(2014.01)(86)PCT国际申请的申请数据C09J11/06(2006.01)PCT/JP2017/0289912017.08.09C09J133/06(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/066229JA2018.04.12(71)申请人木本股份有限公司地址日本国埼玉县(72)发明人野泽和洋权利要求书1页说明书13页(54)发明名称激光切割用辅助片(57)摘要本发明提供能够防止因激光的照射而导致的全切切割时的芯片飞溅的激光切割用辅助片。激光切割用辅助片具有由粘合剂组合物形成的粘合层。粘合层的特征在于，按照其构成材料(粘合剂组合物)的500℃下的残留重量(在氮气流下(50ml/分钟)、以升温速度10℃/分钟进行测定)成为5.5％以下的方式调整。CN109819677ACN109819677A权利要求书1/1页1.一种激光切割用辅助片，其具有构成材料在500℃下的残留重量被调整为5.5％以下的粘合层，所述残留重量是在50ml/分钟的氮气流下、以10℃/分钟的升温速度进行测定的。2.根据权利要求1所述的激光切割用辅助片，其特征在于，所述粘合层的构成材料在250℃下的残留重量被调整为5.5％以上，其中，所述残留重量是在50ml/分钟的氮气流下、以10℃/分钟的升温速度进行测定的。3.根据权利要求1或2所述的激光切割用辅助片，其特征在于，所述粘合层的重量减少开始温度被调整为150℃以上且低于500℃，所述重量减少开始温度是在50ml/分钟的氮气流下、以10℃/分钟的升温速度进行测定的。4.根据权利要求1～3中任一项所述的激光切割用辅助片，其特征在于，所述粘合层的50％重量减少温度被调整为300℃以上且低于500℃，所述50％重量减少温度是在50ml/分钟的氮气流下、以10℃/分钟的升温速度进行测定的。5.根据权利要求1～4中任一项所述的激光切割用辅助片，其中，所述粘合层的厚度被调整为15μm以上且35μm以下。2CN109819677A说明书1/13页激光切割用辅助片技术领域[0001]本发明涉及在使用激光作为用于将半导体晶圆等被加工物进行加工(切割)的工具的情况下使用的激光切割用辅助片。背景技术[0002]已知有使用热损伤少、能够进行高精细加工的激光的半导体晶圆的切断方法。该技术例如是将对基板进行了各种电路形成及表面处理的被加工物固定于切割用辅助片上、利用与其相对地以规定速度通过的激光将被加工物进行切割而芯片化成小片的方法(专利文献1)。[0003]现有技术文献[0004]专利文献[0005]专利文献1：日本特开2004-79746号公报发明内容[0006]发明所要解决的课题[0007]然而，基于专利文献1的技术等迄今为止在使用切割用辅助片将被加工物进行全切切割的情况下，在切割后，会产生小片化后的芯片随意地从切割用辅助片剥离的现象(芯片飞溅)，其结果是，对之后应该进行的工序(拾取工序等)造成障碍，有时会引起成品率降低。[0008]本发明的一方面，提供能够防止因激光的照射而导致的全切切割时的芯片飞溅的激光切割用辅助片。[0009]用于解决课题的方案[0010]本发明者基于在通过激光的照射将半导体晶圆等被加工物进行加工(切割)时、正是在被加工物的激光照射部分所产生的热(500～600℃左右)等的影响与芯片飞溅有关系的假设，进行了深入研究。其结果发现，通过调整与被加工物相对地贴附的粘合层以使其表现出规定物性，从而抑制在激光照射时所产生的热的影响向周围扩展，由此减少本来应该保持芯片的部分的粘合力降低，从而能够得到具备芯片飞溅防止性能的激光切割用辅助片，从而完成本发明。[0011]本发明的激光切割用辅助片的特征在于，其具有构成材料(粘合剂组合物)在500℃下的残留重量被调整为5.5％以下的粘合层。[0012]在本发明中，粘合层的构成材料在250℃下的残留重量可以被调整为5.5％以上。另外，粘合层的重量减少开始温度可以被调整为150℃以上且低于500℃。另外，粘合层的50％重量减少温度可以被调整为300℃以上且低于500℃。[0013]发明效果[0014]本发明的激光切割用辅助片由于具有构成材料的500℃下