MIM电容的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109817608A(43)申请公布日2019.05.28(21)申请号201910014730.X(22)申请日2019.01.08(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地址201203上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号(72)发明人施洋(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人郭四华(51)Int.Cl.H01L23/64(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称MIM电容的制造方法(57)摘要本发明公开了一种MIM电容的制造方法，包括步骤：步骤一、依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层。步骤二、进行光刻形成光刻胶图形并定义出MIM电容的形成区域。步骤三、进行等离子体刻蚀形成由第一金属层、中间介质层和第二金属层叠加而成的MIM电容。步骤四、在去胶机台进行去胶工艺，在去胶工艺中包括后处理的步骤，后处理去除等离子体刻蚀在MIM电容表面产生的电荷残留和等离子体损伤。本发明能提高器件的击穿电压。CN109817608ACN109817608A权利要求书1/1页1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层；步骤二、在所述第二金属层表面上涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的覆盖区域为MIM电容的形成区域；步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜依次对所述第二金属层、所述中间介质层和所述第一金属层进行等离子体刻蚀形成由所述第一金属层、所述中间介质层和所述第二金属层叠加而成的所述MIM电容；步骤四、在去胶机台中采用去胶工艺去除所述光刻胶图形，在所述去胶工艺中包括对所述MIM电容的表面进行后处理的步骤，所述后处理去除所述等离子体刻蚀在所述MIM电容表面产生的电荷残留和等离子体损伤并进而提高所述MIM电容的击穿电压。2.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述后处理的工艺参数包括：温度为250℃±20℃；工艺气体包括：流量为500sccm±20sccm的O2；工艺时间为60秒。3.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。4.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述第一金属层的材料包括铝。5.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述第二金属层的材料包括铝。6.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述中间介质层的材料包括氮化硅。7.如权利要求1所述的MIM电容的制造方法，其特征在于：所述后处理放置在所述去胶工艺的第一步。2CN109817608A说明书1/3页MIM电容的制造方法技术领域[0001]本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种金属-介质-金属(MIM)电容的制造方法。背景技术[0002]在集成电路中，通常需要制作由第一金属层、中间介质层和第二金属层叠加而成的MIM电容，现有MIM电容的制造方法包括如下步骤：[0003]步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层。[0004]步骤二、在所述第二金属层表面上涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的覆盖区域为MIM电容的形成区域。[0005]步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜依次对所述第二金属层、所述中间介质层和所述第一金属层进行等离子体(Plasma)刻蚀形成由所述第一金属层、所述中间介质层和所述第二金属层叠加而成的所述MIM电容。[0006]步骤四、去除所述光刻胶图形。[0007]但是现有方法形成的MIM电容容易产生击穿即击穿电压(BV)会降低，产生击穿的主要原因是在步骤三的等离子体刻蚀中会产生较多的等离子体，等离子体会在MIM电容的表面形成电荷(Charging)残留以及等离子体损伤，这种电荷残留以及等离子体损伤在后续工艺中很难去除，从而造成器件的BV下降。发明内容[0008]本发明所要解决的技术问题是提供一种MIM电容的制造方法，能提高器件的击穿电压。[0009]为解决上述技术问题，本发明提供的MIM电容的制造方法包括如下步骤：[0010]步骤一、提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成第一金属层、中间介质层和第二金属层。[0011]步骤二、在所述第二金属层表面上涂布光刻胶并进行光刻形成光刻胶图形，所述光刻胶图形的覆盖区域为MIM电容的形成区域。[0012]步骤三、以所述光刻胶图形为掩膜依次对所述第二金属层、所述中间介质层和所述第一金属层进行等离子体刻蚀形成由所述第一金属层、所述中间介质层和所述第二金属层叠加而成的所述MIM电容。[0013]步骤四、在去胶机台中采用去胶工艺去除所