一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109887865A(43)申请公布日2019.06.14(21)申请号201910173003.8(22)申请日2019.03.07(71)申请人上海华力微电子有限公司地址201315上海市浦东新区良腾路6号(72)发明人曹孟云(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237代理人郑星(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台(57)摘要本发明公开了一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台，所述晶圆清洗干燥装置包括：干燥槽、载物台、传送臂和两根第一喷杆，两根所述第一喷杆平行设置在所述干燥槽内，所述载物台设置在所述干燥槽的一侧壁上，承载晶圆的所述传送臂能够沿所述载物台向上移动并从两根所述第一喷杆中间穿过，所述第一喷杆上沿杆身设置有多个斜向下相对指向的喷口，所述第一喷杆中部向下凹陷，以使所述喷口的喷射方向向外扩散。所述第一喷杆喷射出气体混合物将所述晶圆表面的残留物向所述晶圆边缘吹离，减少残留物在晶圆下沿汇聚，避免残留物汇聚形成集群残留物缺陷，提升了良品率。CN109887865ACN109887865A权利要求书1/1页1.一种晶圆清洗干燥装置，其特征在于，包括：干燥槽、载物台、传送臂和两根第一喷杆，两根所述第一喷杆平行设置在所述干燥槽内，所述载物台设置在所述干燥槽的一侧壁上，承载晶圆的所述传送臂能够沿所述载物台向上移动并从两根所述第一喷杆中间穿过，所述第一喷杆上沿杆身设置有多个斜向下相对指向的喷口，所述第一喷杆中部向下凹陷，以使所述喷口的喷射方向向外扩散。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗干燥装置，其特征在于，所述第一喷杆包括依次相连的第一杆部、第二杆部和第三杆部，其中所述第一杆部和所述第三杆部的杆身形状均呈直线形，所述第二杆部的杆身形状呈半圆形。3.根据权利要求1所述的晶圆清洗干燥装置，其特征在于，所述第一喷杆所在平面与所述载物台表面平行。4.根据权利要求1所述的晶圆清洗干燥装置，其特征在于，所述晶圆清洗干燥装置还包括两根第二喷杆，两根所述第二喷杆平行设置在所述干燥槽内，且两根所述第二喷杆分别与两根所述第一喷杆同侧设置，其中，所述第二喷杆较所述第一喷杆更靠近所述干燥槽的口部，所述第二喷杆上沿杆身设置有多个斜向下相对指向的喷口。5.根据权利要求1所述的晶圆清洗干燥装置，其特征在于，所述晶圆清洗干燥装置还包括两根第三喷杆，两根所述第三喷杆平行设置在所述干燥槽内且与所述第一喷杆隔离，所述第三喷杆上沿杆身设置有多个斜向上相对指向的喷口。6.一种晶圆清洗干燥方法，其特征在于，采用根据权利要求1-5任意一项所述的晶圆清洗干燥装置，承载晶圆的所述传送臂沿所述载物台向上移动，当所述晶圆经过所述第一喷杆时，所述第一喷杆喷射出气体混合物以吹扫所述晶圆表面。7.根据权利要求6所述的晶圆清洗干燥方法，其特征在于，所述气体混合物为异丙醇和氮气混合物。8.根据权利要求6所述的晶圆清洗干燥方法，其特征在于，所述晶圆清洗干燥方法还包括在所述第一喷杆喷射出气体混合物同时，所述第二喷杆喷射氮气。9.根据权利要求6所述的晶圆清洗干燥方法，其特征在于，所述晶圆清洗干燥方法还包括在所述第一喷杆喷射出气体混合物之前，所述第三喷杆喷射水清洗所述晶圆。10.一种化学机械研磨机台，其特征在于，包括根据权利要求1-5任意一项所述的晶圆清洗干燥装置。2CN109887865A说明书1/4页一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗干燥装置、方法及化学机械研磨机台。背景技术[0002]CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械研磨)工艺在80年代末由IBM公司首次引入半导体制造业中，用于解决硅片表面的平坦化的问题，是晶圆制造中实现多金属层和互连线的关键技术。CMP主要依靠晶圆与研磨垫之间的相对运动以及研磨液的化学侵蚀，达到研磨和去除的目的。用于化学机械研磨的机台一般由芯片机械传送装置、研磨装置和清洗干燥装置等组成。晶圆被传送装置传输到研磨装置进行研磨，之后传输到清洗干燥装置进行清洗和干燥。[0003]在晶圆经研磨过后，晶圆表面会残留研磨液和异物等，因此晶圆的清洗成为了一道非常重要和要求比较高的工艺。现在主流的化学机械研磨机台基本都是自带清洗干燥功能，机台在晶圆干燥过程中主要使用气体混合物对晶圆表面吹扫，以清洗刷子刷洗残留物，同时带走晶圆表面的水汽达到干燥的目的，研磨残留物增加和刷子清洗能力下降会使进入干燥槽的晶圆表面残留物增加，喷杆向下吹扫