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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109988675A(43)申请公布日2019.07.09(21)申请号201910332468.3H01L21/02(2006.01)(22)申请日2019.04.24B08B3/08(2006.01)C11D3/60(2006.01)(71)申请人上海新阳半导体材料股份有限公司地址201616上海市松江区思贤路3600号(72)发明人王溯马丽史筱超(74)专利代理机构上海弼兴律师事务所31283代理人王卫彬邹玲(51)Int.Cl.C11D1/22(2006.01)C11D3/20(2006.01)C11D3/30(2006.01)C11D3/33(2006.01)C11D3/34(2006.01)C11D3/36(2006.01)C11D3/386(2006.01)权利要求书2页说明书18页(54)发明名称长效型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用(57)摘要本发明公开了一种长效型化学机械抛光后清洗液、其制备方法和应用。所述长效型化学机械抛光后清洗液的原料组分包括强碱、醇胺、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂、和水;各组分质量分数之和为100%;所述的缓蚀剂为吲哚接枝噻唑腙类衍生物中的一种或多种。本发明的清洗液时效性强、溶液寿命长,可用于化学机械抛光后的半导体器件的清洗,例如从铜基芯片上除去残留物,可实现化学机械抛光后清洗和缓蚀的双重效果。CN109988675ACN109988675A权利要求书1/2页1.一种清洗液,其特征在于,其原料包括如下质量分数的组分:0.01%-25%的强碱、0.01%-30%的醇胺、0.01%-10%的缓蚀剂、0.01%-10%的螯合剂、0.01%-5%的表面活性剂、和水,各组分质量分数之和为100%;其中,所述的缓蚀剂为如式(1)所示的吲哚接枝噻唑腙类衍生物中的一种或多种;R1和R2独立地为C1-10烷基、C1-5烷氧基、卤素、卤素取代的C1-5烷基、硝基或氨基;R3、R4和R5独立地为氢、C1-5烷基、C1-5烷氧基、卤素、卤素取代的C1-5烷基、硝基或氨基。2.如权利要求1所述的清洗液,其特征在于,所述的强碱的质量分数为1%-20%;和/或,所述的醇胺的质量分数为1%-10%;和/或,所述的缓蚀剂的质量分数为0.1%-1%;和/或,所述的螯合剂的质量分数为0.1%-1%;和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.1%-1%。3.如权利要求1或2所述的清洗液,其特征在于,所述的强碱的质量分数为5%-15%;和/或,所述的醇胺的质量分数为5%-8%;和/或,所述的缓蚀剂的质量分数为0.5%-0.8%;和/或,所述的螯合剂的质量分数为0.3%-0.9%;和/或,所述的表面活性剂的质量分数为0.2%-0.7%。4.如权利要求1-3中任一项所述的清洗液,其特征在于,所述的吲哚接枝噻唑腙类衍生物为(E)-4-(4-甲氧基)-2-(2-((1-甲基-1H吲哚-3-基)亚甲基)联氨)噻唑、(E)-2-(2-((1-甲基-1-H-吲哚-3-基)亚甲基)联氨)-4-苯基噻唑、(E)-2-(2-((1-甲基-1-H-吲哚-3-基)亚甲基)联氨)-4-(4-(三氟甲基苯基)苯基)噻唑和(E)-4-(4-溴苯基)-2-(2-((1-甲基-1-H-吲哚-3-基)亚甲基)联氨)噻唑中的一种或多种,优选为(E)-2-(2-((1-甲基-1-H-吲哚-3-基)亚甲基)联氨)-4-苯基噻唑。5.如权利要求1-4中任一项所述的清洗液,其特征在于,所述的强碱为季铵碱类、季鏻碱类和胍类化合物中的一种或多种;所述的季铵碱类优选为四烷基季铵碱和/或烷基上有羟基取代基的季铵碱;所述四烷基季铵碱优选为四甲基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵和四丁基氢氧化铵中的一种或多种;2CN109988675A权利要求书2/2页所述烷基上有羟基取代基的季铵碱优选为胆碱、(2-羟基乙基)三甲基氢氧化铵和三(2-羟乙基)甲基氢氧化铵中的一种或多种;所述的季鏻碱类优选为四烷基季鏻碱和/或烷基上有羟基取代基的季鏻碱;所述的四烷基季鏻碱优选为四丁基氢氧化膦;所述胍类化合物优选为四甲基胍。6.如权利要求1-5中任一项所述的清洗液,其特征在于,所述的醇胺为单乙醇胺、二甘醇胺、三乙醇胺、异丁醇胺和异丙醇胺中的一种或多种,优选为单乙醇胺;和/或,所述的螯合剂为丙二酸、马来酸、精氨酸和EDTA中的一种或多种;和/或,所述的表面活性剂为离子型表面活性剂;所述的离子型表面活性剂优选为阴离子型表面活性剂;所述的阴离子型表面活性剂优选为十二烷基苯磺酸、苯酚聚氧乙烯醚硫酸钠和异辛醇硫酸钠中的一种或多种。7.如权利要求1-6中任一项所述的清洗液,其特征在于,其原料组分还进一步包括抗氧化剂,所述的抗氧化剂优选为抗氧化酶和/