防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110148634A(43)申请公布日2019.08.20(21)申请号201810366023.2(22)申请日2018.04.23(30)优先权数据1072016322018.02.02TW(71)申请人华星光通科技股份有限公司地址中国台湾桃园县中坜市合江路6号(72)发明人李国豪许聪基赖铭智(74)专利代理机构北京市柳沈律师事务所11105代理人陈小雯(51)Int.Cl.H01L31/0203(2014.01)H01L31/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构(57)摘要本发明提供一种防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，包括：一半导体层；一内部电极层，设置于该半导体层上；一介电层，涂布于该半导体层侧壁上；一金属夹层，结合并导通设置于该内部电极层上，该金属夹层的下侧延伸并覆盖于该介电层上以构成气密；以及一抗反射层，涂布于该半导体层、该金属夹层、及该介电层的外侧，并于该金属夹层的上侧将该抗反射层保留或清出沟槽以镀上外部电极层。CN110148634ACN110148634A权利要求书1/1页1.一种防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于包括：一半导体层；一内部电极层，设置于该半导体层上；一介电层，涂布于该半导体层的侧壁；一金属夹层，结合并导通设置于该内部电极层上，该金属夹层的下侧延伸并覆盖于该介电层上以构成气密；以及一抗反射层，涂布于该半导体层、该金属夹层、及该介电层的外侧，并于该金属夹层的上侧将该抗反射层保留或清出沟槽以镀上外部电极层。2.如权利要求1所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该金属夹层以蒸镀方式结合于该介电层及该内部电极层上。3.如权利要求1所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该金属夹层包括金属基层以及结合于该金属基层上下两侧的金属薄层以更好的与该半导体层、该介电层进行接合。4.如权利要求3所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该金属基层的材质为为金。5.如权利要求3或4所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该金属基层上下两侧的该金属薄层材质为钛、铬或镍。6.如权利要求1所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该介电层的材质为苯并环丁烯或聚酰亚胺。7.如权利要求1所述的防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于，该抗反射层的材质为氮硅化合物、二氧化硅或氧化铝。2CN110148634A说明书1/4页防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构技术领域[0001]本发明系有关于一种光感测器的电极堆迭结构，尤指一种用于光感测器上并可有效阻挡湿气的电极堆迭结构。背景技术[0002]光感测器(photodiode)是一种能够将光转换成电流或者电压讯号的光探测器。光感测器的结构通常是一个PN接面或者PIN结构，透过将光束冲击到二极体上，激发该二极体并于该二极体上产生自由电子(同时产生带正电的电洞)，这样的机制也被称作是内光电效应。如果光束的吸收发生在空乏层，则该区域的内电场将会消除其间的屏障，使得电洞能够向着阳极的方向运动，电子向着阴极的方向运动，藉此完成光电的转换。[0003]对于光感测器传统的设计，如图1所示，常见的制作方式为，在半导体层N1侧壁涂布上一介电层N2作为绝缘及钝化使用，再涂布上一层抗反射层N4以减少光的损失，最后再移除电极N3附近的抗反射层，镀上金属层N5作为导通。然而介电层N2与抗反射层N4的粘着性并不高，若是用于非平整的表面，涂布上容易使得厚度不均匀，如此更加影响抗反射层N4与其之粘着性，特别是在电极导通区域的周围，其高度通常是元件(光感测器)最高的位置，因此介电层N2厚度在电极导通区域的位置是最薄的，若元件置于高温高湿的环境中，湿气很容易从这个弱点进入，造成光感测器的损坏。发明内容[0004]本发明的目的在于提供一种防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其结构简单，能改善光感测器靠近电极附近的结构，以达到气密效果避免湿气经由介电层的间隙进入造成元件的损坏。[0005]为达到上述目的，本发明公开了一种防止湿气进入的光感测器电极堆迭结构，其特征在于包括：[0006]一半导体层；[0007]一内部电极层，设置于该半导体层上；[0008]一介电层，涂布于该半导体层的侧壁；[0009]一金属夹层，结合并导通设置于该内部电极层上，该金属夹层的下侧延伸并覆盖于该介电层上以构成气密；以及[0010]一抗反射层，涂布于该半导体层、该金属夹层、及该介电层的外侧，并于该金属夹层的上侧将该抗反射层保留或清出沟槽以镀上外部电极层。[0011]其中，该金属夹层以蒸镀方式结合于该介电层及该内部电极层上