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隔离结构及其制造方法.pdf
2023-11-15
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一吃****新冬
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隔离结构及其制造方法.pdf
本发明公开一种隔离结构及其制造方法，该隔离结构设置在磁性随机存取存储器元件的鳍形晶体管之间，其中包括鳍形线基板，有沟槽横跨所述鳍形线基板。氧化层设置在所述沟槽以外的所述鳍形线基板上。衬垫层设置在所述沟槽的凹陷表面。氮化层设置在所述衬垫层上，部分填入所述沟槽。氧化物残留位于在所述沟槽内的底部的所述氮化层上。栅极状结构，设置在所述氧化层上，且全部填满所述沟槽。
2023-11-15
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沟槽隔离结构及其制造方法.pdf
本发明涉及一种沟槽隔离结构及其制造方法，所述方法包括：在晶圆表面形成上宽下窄的浅槽；通过淀积向浅槽内填充氧化硅；通过刻蚀去除掉一部分氧化硅；通过热氧化在浅槽顶部的拐角处形成氧化硅拐角结构；在晶圆表面淀积氮化硅，覆盖浅槽内的氧化硅表面及氧化硅拐角结构表面；干法刻蚀氮化硅，将浅槽内的氧化硅表面的氮化硅去除，氧化硅拐角结构表面形成向沟槽内延伸的氮化硅残留；以氮化硅残留为掩膜，继续向下刻蚀形成深槽；在深槽的侧壁和底部形成氧化硅层；向浅槽和深槽内淀积多晶硅；去除氮化硅；在浅槽内形成氧化硅将多晶硅覆盖。本发明的浅槽有
2023-11-16
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一种浅沟槽隔离结构及其制造方法.pdf
本申请公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括：在半导体衬底上依次生长隧穿氧化硅层、多晶硅浮栅层、氮化硅层，通过光刻和刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽中形成第一氧化层；在第一氧化层上沉积第二氧化层；对浅沟槽进行填充，填充后进行退火，退火工艺包括水汽退火。在沟槽中形成第一氧化层之后，又在第一氧化层上沉积第二氧化层，沉积的第二氧化层能够在水汽退火阶段抑制水汽渗透进入隧穿氧化层和多晶硅浮栅层的界面，进一步抑制水汽和多晶硅浮栅层反应生成二氧化硅，达到了防止隧穿氧化层增厚的目的，同时还能兼顾水汽退火的填缝效果。
2023-07-24
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深槽隔离结构的制造方法.pdf
本发明公开了一种深槽隔离结构的制造方法，该方法在成长外延层后，按照以下步骤制造深槽隔离结构：1)炉管成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积二氧化硅；2)曝光显影，干法刻蚀打开要刻蚀深槽的区域；3)以步骤1)形成的二氧化硅-氮化硅-二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；4)再次炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅下方的硅全部氧化；5)淀积二氧化硅，封住深槽开口；6)深槽表面平坦化。该方法通过深沟槽刻蚀和氧化技术，形成超厚场氧化隔离层，同时利用氮化硅作为平坦化的阻挡层，从而不仅达到了隔离的效果，
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一种隔离材料，特别是一种不可燃隔热材料，其含有水玻璃和塑料组分的不可燃，该隔离材料由含有43至57.5重量％的塑料组分、30至47重量％的硅酸盐水溶液、9至11.5重量％的中空玻璃微球和0.1至1重量％的水玻璃稳定剂的混合物组成。生产隔离材料的方法，尤其是生产不可燃隔热材料的方法，事实上作为第一步，将水玻璃稳定剂加入到硅酸盐水溶液中，同时制备苯基甲基二异氰酸酯和支化多元醇的混合物，然后将硅酸盐水溶液与苯基甲基二异氰酸酯和支化多元醇的混合物混合，之后将中空玻璃球加入到所得的混合物中，然后再次彻底混合全部物质
2023-05-26
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