深槽隔离结构的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102522363A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102522363A(43)申请公布日2012.06.27(21)申请号201110435710.3(22)申请日2011.12.22(71)申请人上海华虹NEC电子有限公司地址201206上海市浦东新区川桥路1188号(72)发明人遇寒梅绍宁(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人刘昌荣(51)Int.Cl.H01L21/762(2006.01)权利要求书权利要求书1页1页说明书说明书22页页附图附图33页(54)发明名称深槽隔离结构的制造方法(57)摘要本发明公开了一种深槽隔离结构的制造方法，该方法在成长外延层后，按照以下步骤制造深槽隔离结构：1)炉管成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积二氧化硅；2)曝光显影，干法刻蚀打开要刻蚀深槽的区域；3)以步骤1)形成的二氧化硅-氮化硅-二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；4)再次炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅下方的硅全部氧化；5)淀积二氧化硅，封住深槽开口；6)深槽表面平坦化。该方法通过深沟槽刻蚀和氧化技术，形成超厚场氧化隔离层，同时利用氮化硅作为平坦化的阻挡层，从而不仅达到了隔离的效果，还大大改善了面内均匀性，降低了后端工艺的难度。CN102536ACN102522363A权利要求书1/1页1.深槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上生长外延层；2)进炉管依次成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积一层二氧化硅；3)曝光，显影，用干法刻蚀方法打开要刻蚀深槽的区域；4)以步骤2)形成的二氧化硅-氮化硅-二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；5)炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅以下的硅全部氧化掉；6)淀积二氧化硅，封住深槽开口；7)深槽表面平坦化。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，炉管成长的二氧化硅的厚度为150～300埃米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)成长的氮化硅的厚度为500～800埃米。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，淀积形成的二氧化硅的厚度为2000～5000埃米。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，所述深槽呈正梯形。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述正梯形的角度为80～88度。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，所述深槽的深度为5μm。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，二氧化硅的淀积采用化学气相沉积方法。2CN102522363A说明书1/2页深槽隔离结构的制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种深槽隔离结构的制造方法。背景技术[0002]RFLDMOS功率器件由于良好的电学特性(例如，高线性度，高增益，高输出功率，高热稳定性，高工作电压，偏置电路简单，输入阻抗恒定等)和与现有CMOS集成电路工艺的良好兼容性，目前已广泛应用于无线通信领域。[0003]传统的LDMOS器件一般采用普通STI(深沟槽隔离)和厚氧隔离，这种隔离技术会带来面内均匀性差、容易造成药液残留等问题，从而在一定程度上限制了RFLDMOS器件在高速高频器件上的应用。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种深槽隔离结构的制造方法，它可以改善RFLDMOS器件的面内均匀性。[0005]为解决上述技术问题，本发明的深槽隔离结构的制造方法，包括以下步骤：[0006]1)在硅衬底上生长外延层；[0007]2)进炉管依次成长二氧化硅和氮化硅，再在氮化硅上淀积一层二氧化硅；[0008]3)曝光，显影，用干法刻蚀方法打开要刻蚀深槽的区域；[0009]4)以步骤2)形成的二氧化硅-氮化硅-二氧化硅作为刻蚀阻挡层，干法刻蚀形成深槽；[0010]5)炉管氧化，成长二氧化硅，将深槽隔离区域的氮化硅以下的硅全部氧化掉；[0011]6)淀积二氧化硅，封住深槽开口；[0012]7)深槽表面平坦化。[0013]本发明通过深沟槽刻蚀和氧化技术，形成超厚场氧化隔离层，同时增加氮化硅作为平坦化工艺的阻挡层，从而不仅达到了隔离的效果，还大大改善了氧化层的面内均匀性，有效降低了因高度差及面内不均匀性带来的后端工艺的难度以及器件稳定性方面的隐患。附图说明[0014]图1是本发明实施例深槽隔离结构的制造方法流程图。[0015]图中附图标记说明如下：[0016]1：硅衬底[0017]2：外延层[0018]3、5、7、8：氧化层(二氧化硅)[0019]4：氮化硅[0020]6：深槽3CN102522363A说明书2/2页具体实施方式[0021]为对本发明的技术内容、特点与功效有更具体的了解，现结合图示的实施方