OLED显示基板及其制备方法和显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110265474A(43)申请公布日2019.09.20(21)申请号201910661688.0(22)申请日2019.07.22(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人重庆京东方显示技术有限公司(72)发明人杨璐史大为王文涛段岑鸿王培李旭黄灿吴帮炜(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人姜春咸陈源(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称OLED显示基板及其制备方法和显示装置(57)摘要本发明提供一种OLED显示基板及其制备方法和显示装置。该OLED显示基板包括基底，设置在基底上的无机层和发光单元，发光单元位于无机层背离基底的一侧，基底背离无机层的一侧用于设置摄像头，摄像头在基底上的正投影区域处于发光单元所在区域内，且正投影区域内未保留发光单元，发光单元包括发光结构，正投影区域内、且在无机层背离基底的一侧设置有保护层，保护层能在激光切割去除正投影区域内的发光结构时保护正投影区域内的无机层，以防止所述正投影区域内的所述无机层发生翘曲和破裂。CN110265474ACN110265474A权利要求书1/2页1.一种OLED显示基板，包括基底，设置在所述基底上的无机层和发光单元，所述发光单元位于所述无机层背离所述基底的一侧，所述基底背离所述无机层的一侧用于设置摄像头，所述摄像头在所述基底上的正投影区域处于所述发光单元所在区域内，且所述正投影区域内未保留所述发光单元，所述发光单元包括发光结构，其特征在于，所述正投影区域内、且在所述无机层背离所述基底的一侧设置有保护层，所述保护层能在激光切割去除所述正投影区域内的所述发光结构时保护所述正投影区域内的所述无机层，以防止所述正投影区域内的所述无机层发生翘曲和破裂。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述保护层采用非晶铟锌氧化物材料。3.根据权利要求2所述的OLED显示基板，其特征在于，所述保护层的厚度范围为30-100nm。4.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述发光单元包括阳极、发光功能层和阴极，所述阳极、所述发光功能层和所述阴极依次远离所述无机层分布；所述发光结构包括发光功能层和阴极。5.根据权利要求1所述的OLED显示基板，其特征在于，所述基底采用聚酰亚胺材料。6.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-5任意一项所述的OLED显示基板。7.一种如权利要求1-5任意一项所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，包括在基底上形成无机层、保护层和发光单元，激光切割去除摄像头在所述基底上的正投影区域内的所述发光单元的发光结构。8.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成保护层包括：在室温下采用直流磁控溅射的方法制备形成非晶结构的铟锌氧化物薄膜；采用包含保护层图形的掩膜板对非晶结构的铟锌氧化物薄膜进行曝光；采用草酸对经曝光后的非晶结构的铟锌氧化物薄膜进行湿刻，去除所述正投影区域以外区域的非晶结构的铟锌氧化物薄膜，保留所述正投影区域的非晶结构的铟锌氧化物薄膜。9.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成保护层包括：采用溶胶凝胶法旋涂制备形成铟锌氧化物薄膜，然后经300℃退火形成非晶结构的铟锌氧化物薄膜；采用包含保护层图形的掩膜板对非晶结构的铟锌氧化物薄膜进行曝光；采用草酸对经曝光后的非晶结构的铟锌氧化物薄膜进行湿刻，去除所述正投影区域以外区域的非晶结构的铟锌氧化物薄膜，保留所述正投影区域的非晶结构的铟锌氧化物薄膜。10.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成发光单元包括先后形成阳极、发光功能层和阴极；所述保护层在形成所述阳极之后且形成所述发光功能层之前形成，或者所述保护层在形成所述无机层之后且形成所述阳极之前形成。11.根据权利要求10所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述阳极采用溅射成膜、曝光、显影、刻蚀的工艺形成；所述发光功能层和所述阴极采用蒸镀工艺形成。2CN110265474A权利要求书2/2页12.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成无机层包括采用物理气相沉积的方法形成无机层。13.根据权利要求7所述的OLED显示基板的制备方法，其特征在于，所述形成无机层包括采用物理气相沉积的方法形成无机层薄膜；对所述正投影区域的所述无机层薄膜进行刻蚀减薄，以形成无机层。3CN110265474A说明书1/5页OLED显示基板及其制备方法和显