一种铝箔腐蚀工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110257893A(43)申请公布日2019.09.20(21)申请号201910457797.0H01G9/055(2006.01)(22)申请日2019.05.29(71)申请人安徽省临泉县康悦电子科技有限公司地址236400安徽省阜阳市临泉县工业园区管委会二期标准厂房3栋2层(72)发明人谷勋亮(74)专利代理机构北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙)11357代理人刘洪勋(51)Int.Cl.C25F3/04(2006.01)C23F1/20(2006.01)H01G9/04(2006.01)H01G9/045(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种铝箔腐蚀工艺(57)摘要本发明公开一种铝箔腐蚀工艺，包括以下步骤:步骤一、铝箔处理；步骤二、腐蚀处理；步骤三、腐蚀后处理。阴极阳极采用不同工艺生产；阳极：配制0.05～1wt％HCL溶液、0.05～1wt％H3PO4溶液与0.05～1wt％H2SO4溶液混合液，加入表面活性剂，保持温度50～70℃，将铝箔加入浸泡80～120s，取出后用蒸馏水冲洗，将进行阳极处理的铝箔加入3.0mol/lHCL、0.75mol/lH2SO4、0.1mol/l的AlCl3配制的混合液中，使用超声辅助，温度为40～50℃，通入电压为220V，电流密度为0.3A/cm2、频率为50HZ的交流电，腐蚀时间为60～100s。本发明氯离子残留比较少，提高了铝箔品质，进一步提高了产品的优良性，腐蚀外观均匀性好，同时提高了铝箔的扩面率和静电容，使产品寿命长。CN110257893ACN110257893A权利要求书1/1页1.一种铝箔腐蚀工艺，其特征在于，包括以下步骤:步骤一：铝箔处理阳极配制0.05～1wt％HCL溶液、0.05～1wt％H3PO4溶液与0.05～1wt％H2SO4溶液混合液，加入表面活性剂，保持温度50～70℃，将铝箔加入浸泡80～120s，取出后用蒸馏水冲洗；阴极配制2wt％NAOH，保持温度在45～60℃，将铝箔加入浸泡10～25s，取出后用蒸馏水冲洗；步骤二：腐蚀处理阳极步骤(1)、将进行阳极处理的铝箔加入3.0mol/lHCL、0.75mol/lH2SO4、0.1mol/l的AlCl3配制的混合液中，使用超声辅助，温度为40～50℃，通入电压为220V，电流密度为0.3A/cm2、频率为50HZ的交流电，腐蚀时间为60～100s；步骤(2)、将步骤(1)腐蚀后的铝箔，在不通电的情况下，再次加入3.0mol/lHCL、0.75mol/lH2SO4、0.1mol/l的AlCl3配制的混合液中，温度为45～65℃，处理120～240s；步骤(3)、将步骤(2)处理后的铝箔再次加入4.0～4.5mol/lHCL、0.1～2mol/lH2SO4、0.1～0.2mol/l的AlCl3配制的混合液中，使用超声辅助，腐蚀溶液温度为35～45℃，通入电压为220V，电流密度为0.3A/cm2、频率为50HZ的交流电，腐蚀时间为250～350s；阴极(1)、将阴极处理后的铝箔在浓度为8mol/lHCL与2mol/lH2SO4混合液，温度在80～100℃，浸泡20～30s；(2)、将(1)处理后的铝箔加入5mol/lHNO3，温度在40～50℃，浸泡20～30s；(3)将(2)处理后的铝箔加入0.2～2mol/lNaCO3溶液，加入铝离子Al3+在H3PO4催化剂的作用下，浸泡30～40s；步骤三：腐蚀后处理阳极将腐蚀后的阳极铝箔，在温度20～35℃、3％的HNO3溶液中浸泡30s，然后用去离子水清洗干净；阴极将腐蚀后的阴极铝箔在温度40～50℃、3％的HNO3溶液中浸泡30s，然后用去离子水清洗干净。2.根据权利要求1所述的一种铝箔腐蚀工艺,其特征在于，所述表面活性剂为0.1％～2wt％C12H25SO4Na。3.根据权利要求1所述的一种铝箔腐蚀工艺,其特征在于，所述超声辅助频率为35～50KHz。2CN110257893A说明书1/6页一种铝箔腐蚀工艺技术领域[0001]本发明涉及一种电容用铝箔生产领域，具体是一种铝箔腐蚀工艺。背景技术[0002]电解电容器的内部有储存电荷的电解质材料，分正、负极性，类似于电池，不可接反。正极为粘有氧化膜的金属基板，负极通过金属极板与电解质(固体和非固体)相连接。无极性(双极性)电解电容器采用双氧化膜结构，类似于两只有极性电解电容器将两个负极相连接后构成，其两个电极分别为两个金属极板(均粘有氧化膜)相连，两组氧化膜中间为电解质。有极性电解电容器通常在电源电路或中频、低频电路中起电源滤波，退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。无极性电解电容器通常用于音响分频器