一种UV减粘胶.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110330919A(43)申请公布日2019.10.15(21)申请号201910592315.2(22)申请日2019.07.03(71)申请人昆山博益鑫成高分子材料有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市玉山镇寰庆路3123号(72)发明人喻四海刘宇施法宽张世友刘佳周开奕(74)专利代理机构北京君泊知识产权代理有限公司11496代理人王程远(51)Int.Cl.C09J133/04(2006.01)C09J163/10(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种UV减粘胶(57)摘要本发明属于晶圆切割技术领域，具体涉及一种UV减粘胶，包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上；将光敏基团直接引入到聚丙烯酸酯骨架链上，无需后续添加多官能树脂，经UV光照后其剥离力可从原有1600gf/25rm降低至23gf/25mm以下，无污染，无残留，同时可耐高温150℃一个小时，因此在使用后，可以很方便的将工件从胶带上脱离。CN110330919ACN110330919A权利要求书1/1页1.一种UV减粘胶，其特征在于：包括光敏基团和聚丙烯酸酯，所述光敏基团和聚丙烯酸酯的质量比为：10-20％：80-90％，所述光敏基团和聚丙烯酸酯在光、热及引发剂条件下，使所述光敏基团引入到聚丙烯酸酯骨架链上。2.根据权利要求1所述的一种UV减粘胶，其特征在于：所述光敏基团包含质量比为：50-70％的光敏树脂和1-5％的光引发剂以及25-50％活性稀释单体。3.根据权利要求2所述的一种UV减粘胶，其特征在于：所述光敏树脂采用聚丙烯酸酯。4.根据权利要求1所述的一种UV减粘胶，其特征在于：所述活性稀释单体为带异氰酸功能基团的单体，将其带异氰酸功能基团的单体接枝到丙烯酸酯基环氧树脂上，使用马来酸酐改性，制备带有光引发基团的水性丙烯酸酯基环氧树脂。5.根据权利要求4所述的一种UV减粘胶，其特征在于：所述马来酸酐为光引发剂。2CN110330919A说明书1/4页一种UV减粘胶技术领域[0001]本发明属于晶圆切割技术领域，具体涉及一种UV减粘胶。背景技术[0002]半导体是家用数码产品及电子器件的关键部件。在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中，必不可少的基础材料是半导体芯片。半导体芯片是以单晶硅片加工而成的，单晶硅片简称晶圆。在对晶圆材料进行切割、磨削加工时，需要用一种特殊的保护膜进行粘结固定。加工完毕后，再把加工好的晶圆切片从固定胶膜上完全剥离下来，不影响晶圆材料本身。水晶(装饰玻璃)应用于灯具、服饰等日常生活，光学玻璃应用于光学仪器也需要经过切割和研磨，加工过程中同样需要保护膜进行固定，加工完成后再轻松剥离。[0003]国内市场上用于晶圆切割和捡取工艺保护的UV减粘胶多以日本、台湾为主，国内UV减粘胶也有几家在研发推广，性能尚未完全稳定。而对于高性能钢化玻璃制程保护(如手机玻璃等)和手机金属后盖等镭射雕刻工艺的保护都是用绿胶带或金手指胶带来贴覆保护，制程中需要经过120℃或以上特殊工艺几分钟，这对保护膜耐高温性能具有很高的挑战。绿胶带或金手指胶带在经过高温后，胶黏剂层会变软，会更好的与被保护物体表面充分接触，这样就大大的增加了胶带对被保护物体表面的粘合力，也就增加了胶带后期剥离的难度，及可能性的在后期剥离时因粘合力过大而造成的轻微残胶等问题。而当前行业用于晶圆制程保护的UV减粘保护膜可以满足后期剥离时经过UV光照后，粘合力变小的特点而轻易剥离下来的性能。但该UV减粘保护膜不耐高温，若经过高温后，虽然后期剥离时再过UV灯光照粘合力变小，但仍然会存在胶黏剂层的小分子会残留被保护物体表面。[0004]申请号为201210589842.6的中国专利公开了一种易于捡取的防静电晶圆切割膜，克服了传统晶圆制程保护的一些问题，但未解决耐高温性能，无法满足高性能钢化玻璃制程和金属手机后盖的镭射雕刻工艺保护；申请号为201420369939.0的中国专利公开了一种UV减粘膜的结构示意图，和传统的胶带示意图相类似，未解决UV减粘胶的实际性能需求；申请号为201510590693.9的中国专利公开了一种双组份固化UV减粘胶，也只是解决了减粘胶UV光照前高剥离力，UV光照后低剥离力的问题，而对耐高温性能未加以解决；申请号为201520242283.0的中国专利公开了一种具有防静电的新型UV切割膜，具体方法是在PET基材表层涂覆一层抗静电层，也未实际解决UV减粘胶的耐高温性能；介于此，公开号为CN105778806A的中国专利公开了一种耐热型UV减粘胶组合物及该组合物制备的UV减粘保护膜。该组合