电路板钻孔方法和装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110392484A(43)申请公布日2019.10.29(21)申请号201810349986.1(22)申请日2018.04.18(71)申请人北大方正集团有限公司地址100871北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦9层申请人重庆方正高密电子有限公司(72)发明人黄云钟曹磊磊王成立尹立孟唐耀(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人杨泽刘芳(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)H05K3/42(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图9页(54)发明名称电路板钻孔方法和装置(57)摘要本发明提供一种电路板钻孔方法和装置，该方法包括：在多层电路板上，在完成塞孔的第一过孔中根据预设连通层钻第一对孔；所述第一对孔的孔径大于所述第一过孔的孔径；所述第一过孔上保留的电镀层用于连通所述预设连通层；采用塞孔材料对所述第一对孔进行塞孔；在完成塞孔的所述第一对孔中钻第一通孔，所述第一通孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔。本发明通过在第一过孔内形成孔径小于第一过孔的第二过孔，得到了孔套孔的结构，实现了在同一个通孔位置，形成至少两个过孔，从而节约了过孔的占用空间，缩小了电路板的整体尺寸，提高了电路板布线密度,进而提高了电路板的利用率。CN110392484ACN110392484A权利要求书1/2页1.一种电路板钻孔方法，其特征在于，包括：在多层电路板上，在完成塞孔的第一过孔中根据预设连通层钻第一对孔；所述第一对孔的孔径大于所述第一过孔的孔径；所述第一过孔上保留的电镀层用于连通所述预设连通层；采用塞孔材料对所述第一对孔进行塞孔；在完成塞孔的所述第一对孔中钻第一通孔，所述第一通孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔。2.根据权利要求1所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述第一过孔上保留的电镀层的层高大于或等于所述预设连通层的首尾层的层间距，且小于与所述预设连通层的首尾层相邻的两层之间的层间距。3.根据权利要求1所述的电路板钻孔方法，其特征在于，还包括：所述第一对孔为对称深度的对孔。4.根据权利要求1所述的电路板钻孔方法，其特征在于，还包括：所述第一对孔为非对称深度的对孔。5.根据权利要求1所述的电路板钻孔方法，其特征在于，在所述对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔之后，还包括：根据预设数量的导电区段，对所述第一过孔上保留的电镀层进行分段处理。6.根据权利要求5所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述根据预设数量的导电区段，对所述第一过孔上保留的电镀层进行分段处理包括：根据预设数量的导电区段，在所述第二过孔的外周侧钻所述预设数量的第二通孔，其中，所述第二通孔穿透所述第一过孔上保留的电镀层；所述第二通孔的孔径大于或等于所述第一过孔上保留的电镀层的厚度。7.根据权利要求6所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔之后还包括：对所述多层电路板的首尾两层电路板的表面镀电镀层，以使所述第二过孔与所述多层电路板的所述首尾两层电路板表面的电镀层电导通。8.根据权利要求1至7中任一项所述的电路板钻孔方法，其特征在于，所述塞孔材料为树脂。9.一种电路板钻孔装置，其特征在于，包括：第一钻孔模块,用于在多层电路板上，在完成塞孔的第一过孔中根据预设连通层钻第一对孔；所述第一对孔的孔径大于所述第一过孔的孔径；所述第一过孔上保留的电镀层用于连通所述预设连通层；塞孔模块,用于采用塞孔材料对所述第一对孔进行塞孔；第二钻孔模块,在完成塞孔的所述第一对孔中钻第一通孔，所述第一通孔的孔径小于所述第一过孔的孔径；第一电镀模块,用于对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔。10.根据权利要求9所述的电路板钻孔装置，其特征在于，所述第一过孔上保留的电镀层的层高大于或等于所述预设连通层的首尾层的层间距，且小于与所述预设连通层的首尾2CN110392484A权利要求书2/2页层相邻的两层之间的层间距。11.根据权利要求9所述的电路板钻孔装置，其特征在于，还包括：所述第一对孔为对称深度的对孔。12.根据权利要求9所述的电路板钻孔装置，其特征在于，还包括：所述第一对孔为非对称深度的对孔。13.根据权利要求9所述的电路板钻孔装置，其特征在于，还包括：分段模块，用于在所述对所述第一通孔进行电镀，形成第二过孔之后，根据预设数量的导电区段，对所述第一过孔上保留的电镀层进行分段处理。14.根据权利要求13所述的电路板钻孔装置，其特征在于，所述分段模块包括：钻孔单元，用于根据预设数量的导电区段，在所述第二过孔的外周侧钻所述预设数量的第二通孔，其中，所述第二通孔穿透所述第一过孔上保留的电镀层；所述