一种残胶标准片及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110416103A(43)申请公布日2019.11.05(21)申请号201810400180.0(22)申请日2018.04.28(71)申请人上海微电子装备(集团)股份有限公司地址201203上海市浦东新区自由贸易试验区张东路1525号(72)发明人任书铭(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人孟金喆(51)Int.Cl.H01L21/66(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图10页(54)发明名称一种残胶标准片及其制备方法(57)摘要本发明实施例提供了一种残胶标准片及其制备方法，其中残胶标准片包括基底；设置于基底上的透明薄膜层；设置于基底上的保护层，保护层包括多个曝光场，曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，标准比对单元和残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个检测区域内均包括至少一个通孔；透明薄膜层设置于残胶比对单元的至少一个通孔内。本发明实施例可以制作出与实际的光刻胶残留性质相同的残胶标准片，实现了对AOI设备的残胶检出率以及误检率等性能进行全面的验证。CN110416103ACN110416103A权利要求书1/2页1.一种残胶标准片，其特征在于，包括：基底；设置于所述基底上的透明薄膜层；设置于所述基底上的保护层，所述保护层包括多个曝光场，所述曝光场包括呈阵列排布的多个比对单元，所述比对单元包括标准比对单元和残胶比对单元，所述标准比对单元和所述残胶比对单元均包括至少两个不同检测类型的检测区域，每个所述检测区域内均包括至少一个通孔；所述透明薄膜层设置于所述残胶比对单元的至少一个所述通孔内。2.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的光线透过率大于或等于95％。3.根据权利要求2所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的材料为金属氧化物。4.根据权利要求3所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的材料为氧化铟锡或氧化锌，所述保护层材料为无机物或者光敏型聚酰亚胺。5.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层的厚度为50nm～300nm。6.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述检测区域包括圆形特征比较区域、方形特征比较区域、竖条形特征比较区域和横条形特征比较区域；所述圆形特征比较区域包括多个圆形通孔，所述方形特征比较区域包括多个正方形通孔，所述竖条形特征比较区域包括多个沿第一方向的第一尺寸大于沿第二方向的第二尺寸的第一矩形通孔，所述横线形条特征比较区域包括多个沿第一方向的第三尺寸小于沿第二方向的第四尺寸的第二矩形通孔；其中，所述第一方向与所述第二方向垂直。7.根据权利要求6所述的残胶标准片，其特征在于，所述圆形特征比较区域包括至少两个圆形子比较区域，不同所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径不同，每一所述圆形子比较区域中的所述圆形通孔呈阵列排布；所述方形特征比较区域包括至少两个方形子比较区域，不同所述方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径不同，每一所述方形子比较区域中的所述正方形通孔呈阵列排布；所述竖条形特征比较区域中的多个所述第一矩形通孔呈阵列排布，多个所述第一矩形通孔的所述第一尺寸相等，且沿所述第二方向所述第一矩形通孔的所述第二尺寸逐渐增大；所述横条形特征比较区域中的多个所述第二矩形通孔呈阵列排布，多个所述第二矩形通孔的所述第四尺寸相等，且沿所述第一方向所述第二矩形通孔的所述第三尺寸逐渐减小。8.根据权利要求7所述的残胶标准片，其特征在于，每一所述圆形子比较区域中的相邻两个所述圆形通孔的间距和该圆形子比较区域中的所述圆形通孔的孔径相同；每一所述方形子比较区域中的相邻两个所述正方形通孔的间距和该方形子比较区域中的所述正方形通孔的孔径相同；每一所述竖条形特征比较区域中，沿所述第二方向，前一个所述第一矩形通孔和后一个所述第一矩形通孔的间距与前一个所述第一矩形通孔的第二尺寸相同；2CN110416103A权利要求书2/2页每一所述横条形特征比较区域中，沿所述第一方向，前一个所述第二矩形通孔和后一个所述第二矩形通孔的间距和后一个所述第二矩形通孔的第三尺寸相同。9.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，所述透明薄膜层为中间型结构或边缘型结构；所述中间型结构的透明薄膜层在所述基底的垂直投影与所述通孔在所述基底的垂直投影不交叠；所述边缘型结构的透明薄膜层与所述通孔内壁贴合。10.根据权利要求9所述的残胶标准片，其特征在于，所述中间型结构的透明薄膜层的形状为圆形、正方形、矩形或多边形；所述边缘型结构的透明薄膜层的结构为环形或线形。11.根据权利要求1所述的残胶标准片，其特征在于，沿同一方向，相邻两个所述比对单元之间