显示器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110429096A(43)申请公布日2019.11.08(21)申请号201811087508.4(22)申请日2018.09.18(71)申请人广东聚华印刷显示技术有限公司地址510000广东省广州市广州中新广州知识城凤凰三路17号自编五栋388(72)发明人李正吉(74)专利代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司44224代理人林青中(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/50(2010.01)B82Y30/00(2011.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称显示器件(57)摘要本发明涉及一种显示器件，其将蓝色发光层与混合像素层分层设置，混合像素层中的红色和绿色像素单元在接收到蓝色发光层发出的蓝光后可分别发出红色和绿色的激发光，而蓝色像素单元留空用于直接透射蓝光，这样在混合像素层上就可以组合形成不同的色彩。该显示器件的蓝色发光层中的蓝色发光单元具有纳米棒阵列，其与两侧电极构成蓝色microLED，由于纳米棒材料随尺寸变化其发光效率变化很小，具有优异的外量子效率，且其空穴和电子大部分时间相互分离，因而显示器件的稳定性高。该显示器件将纳米棒状的蓝色microLED与红色和绿色量子点材料相结合，可以提高蓝光的利用率，并有利于提高显示器件的分辨率，能够满足下一代高端显示产品对分辨率、画质和成本的要求。CN110429096ACN110429096A权利要求书1/1页1.一种显示器件，其特征在于，包括：阵列基板；底电极层，呈图案化设于所述阵列基板之上；蓝色发光层，具有呈图案化分布的多个蓝色发光单元，各所述蓝色发光单元包括轴向垂直于所述阵列基板的纳米棒阵列，各所述蓝色发光单元对应设于各所述底电极层之上；透明顶电极层，设于各所述蓝色发光单元之上；以及混合像素层，设于所述顶电极层之上，所述混合像素层包括与下方的各蓝色发光单元分别对应设置的红色像素单元、绿色像素单元和蓝色像素单元，相邻的像素单元之间由像素界定结构隔开，所述红色像素单元中设有能够受蓝光激发发出红光的红色量子点材料，所述绿色像素单元中设有能够受蓝光激发发出绿光的绿色量子点材料，所述蓝色像素单元留空以用于透射所述蓝色发光单元发出的蓝光。2.如权利要求1所述的显示器件，其特征在于，所述底电极层为阳极层且所述透明顶电极层为阴极层，或者所述底电极层为阴极层且所述透明顶电极层为阳极层；所述纳米棒阵列中的各纳米棒包括n-GaN核心层、第一绝缘层、第二绝缘层、活性层以及p-GaN层；所述n-GaN核心层为棒状结构，所述n-GaN核心层设于所述阴极层的一侧表面之上且与所述阴极层电性连接；所述第一绝缘层围绕所述n-GaN核心层设于所述阴极层的表面之上；所述第二绝缘层设于所述第一绝缘层之上且包覆所述n-GaN核心层；所述活性层设于所述第一绝缘层之上且包覆所述第二绝缘层；所述p-GaN层设于所述第一绝缘层之上且包覆所述活性层；所述p-GaN层与所述阳极层电性连接。3.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述蓝色发光单元还包括n-GaN基底，所述n-GaN基底设于所述阴极层的一侧表面之上且与所述阴极层电性连接，所述纳米棒阵列中的所述n-GaN核心层及所述第一绝缘层均设于所述n-GaN基底之上。4.如权利要求2所述的显示器件，其特征在于，所述纳米棒还包括设于所述第一绝缘层之上的、且包覆所述p-GaN层的侧表面的第三绝缘层。5.如权利要求2～4中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述活性层为GaN层与AlGaInN层交替形成的多层结构，且所述p-GaN层和所述第二绝缘层均是与所述活性层中的GaN层接触层叠。6.如权利要求5所述的显示器件，其特征在于，所述纳米棒的长度为0.8～1.4μm，半径为250～500nm。7.如权利要求1～4中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述蓝色发光层中的相邻的蓝色发光单元之间具有像素界定结构。8.如权利要求1～4中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述红色量子点材料和所述绿色量子点材料独立选自II-VI族化合物、IV-VI族化合物及III-V族化合物中的至少一种。9.如权利要求1～4中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述混合像素层之上还设有增透功能层和/或封装功能层。10.如权利要求1～4中任一项所述的显示器件，其特征在于，所述红色像素单元和/或所述绿色像素单元在出光侧设有用于滤除蓝光的滤光层。2CN110429096A说明书1/5页显示器件技术领域[0001]本发明涉及发光显示技术领域，尤其是涉及一种显示器件。背景技术[0002]microLED(微型LED)是新一代显示技术，其比传统的OLED技术发光亮度更高、发光效率更好、但功耗更低