一种显示面板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110729327A(43)申请公布日2020.01.24(21)申请号201910859754.5(22)申请日2019.09.11(71)申请人云谷（固安）科技有限公司地址065500河北省廊坊市固安县新兴产业示范区(72)发明人黄振(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种显示面板及其制备方法(57)摘要本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制备方法。本发明中，显示面板包括：基板、位于所述基板上的第一牺牲层，以及位于所述第一牺牲层上的图形化的第一金属层，所述第一牺牲层包括若干第一区域以及与所述第一区域相邻接的第二区域，所述图形化的第一金属层位于所述第一区域上、且暴露出所述第二区域。本发明还提供了一种显示面板的制备方法。本发明提供的显示面板及其制备方法，能够改善金属残留问题，提高器件良品率。CN110729327ACN110729327A权利要求书1/2页1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板、位于所述基板上的第一牺牲层，以及位于所述第一牺牲层上的图形化的第一金属层，所述第一牺牲层包括若干第一区域以及与所述第一区域相邻接的第二区域，所述图形化的第一金属层位于所述第一区域上、且暴露出所述第二区域。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，在所述基板指向所述第一牺牲层的方向上，所述第一区域的顶部高于所述第二区域的顶部。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述基板包括衬底、以及位于所述衬底上的第一无机膜层，所述第一牺牲层位于所述第一无机膜层上；优选的，所述第一牺牲层的材料与所述第一无机膜层的材料相同。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述基板还包括位于所述图形化的第一金属层上的第二无机膜层、位于所述第二无机膜层上的第二牺牲层、以及位于所述第二牺牲层上的图形化的第二金属层，所述第二牺牲层包括若干第三区域以及与所述第三区域相邻接的第四区域，所述图形化的第二金属层位于所述第三区域上、且暴露出所述第四区域；优选的，所述第二牺牲层的材料与所述第二无机膜层的材料相同。5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一牺牲层的致密度高于所述第一无机膜层的致密度。6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一区域的厚度范围为50埃至100埃。7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成第一牺牲层；在所述第一牺牲层上形成第一金属层；利用干法刻蚀工艺，刻蚀所述第一金属层，形成图形化的第一金属层。8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述利用干法刻蚀工艺，刻蚀所述第一金属层之后，还包括：利用干法刻蚀工艺，刻蚀部分深度的所述第一牺牲层。9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述提供基板，具体包括：提供衬底；在所述衬底上形成第一无机膜层；所述在所述基板上形成第一牺牲层，具体为：在所述第一无机膜层上形成所述第一牺牲层，其中，所述第一牺牲层的材料与所述第一无机膜层的材料相同。10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第一无机膜层，具体为：采用第一成膜速率在所述衬底上形成所述第一无机膜层；所述在所述第一无机膜层上形成所述第一牺牲层，具体为：采用第二成膜速率在所述第一无机膜层上形成所述第一牺牲层，其中，所述第二成膜速率小于所述第一成膜速率；2CN110729327A权利要求书2/2页优选的，所述在所述衬底上形成第一无机膜层，具体为：采用第一成膜温度在所述衬底上形成所述第一无机膜层；所述在所述第一无机膜层上形成所述第一牺牲层，具体为：采用第二成膜温度在所述第一无机膜层上形成所述第一牺牲层，其中，所述第二成膜温度高于所述第一成膜温度。3CN110729327A说明书1/6页一种显示面板及其制备方法技术领域[0001]本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。背景技术[0002]OLED(organiclightemittingdiode，有机发光二极管)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应等优良特性，因此，引起了科研界和产业界的极大兴趣，被认为是极具潜力的下一代技术。OLED显示面板在制备过程中需经过很多工艺流程，例如，针对薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)驱动工艺流程，一般利用干法蚀刻工艺来蚀刻金属层，从而形成图形化的金属层。[0003]发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于金属层内部或金属层上存