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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111106149A(43)申请公布日2020.05.05(21)申请号201911225552.1(22)申请日2019.12.04(71)申请人武汉华星光电半导体显示技术有限公司地址430079湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室(72)发明人杨薇薇(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人李新干(51)Int.Cl.H01L27/32(2006.01)G09F9/30(2006.01)权利要求书2页说明书6页附图2页(54)发明名称一种显示面板及其制备方法(57)摘要本发明涉及一种显示面板及其制备方法。本发明,通过第一光罩同时在所述显示区形成从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中的第一凹槽和从所述弯折区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中的第二凹槽的第一槽体,节约了光罩成本。另一方面,本发明保留了弯折区的有源层,以此延长第一槽体的蚀刻时间,使得第一光罩能够同时满足第一凹槽的深度和第二凹槽的第一槽体的深度要求。CN111106149ACN111106149A权利要求书1/2页1.一种显示面板,定义有显示区和非显示区,所述非显示区具有弯折区,其特征在于,包括:基板;阻隔层,设置于所述基板上;缓冲层,设置于所述阻隔层上;有源层,设置于所述显示区和所述弯折区的所述缓冲层上;层间绝缘层,设置于所述有源层上方;第一凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中;第二凹槽,设于所述弯折区,所述第二凹槽包括第一槽体和第二槽体;所述第一槽体从所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中;所述第二槽体从所述第一槽体靠近所述基板的表面贯穿至所述基板中。2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:第一栅极绝缘层,设置于所述有源层上;第一栅极层,设置于所述第一栅极绝缘层上;第二栅极绝缘层,设置于所述第一栅极层上;第二栅极层,置于所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间。3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:第一有机层,在所述第一凹槽中填充有机材料形成;第二有机层,在所述第二凹槽中填充有机材料形成。4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:第三凹槽和第四凹槽,从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层远离所述基板的表面;源漏极层,设置于所述层间绝缘层上;其中所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和漏极分别通过第三凹槽和第四凹槽连接于所述有源层上。5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,还包括:平坦层,设置于所述源漏极层上;像素定义层,设置于所述平坦层上,所述像素定义层中具有一开口;阳极,设置于所述像素定义层中的所述开口中,并且连接至所述源漏极层;支撑柱,所述支撑柱设置于所述像素定义层上。6.一种制备权利要求1所述的显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1,提供一基板,将待制备的显示面板定义出显示区和非显示区,所述非显示区具有弯折区;S2,在所述基板上依次制备阻隔层、缓冲层、有源层、层间绝缘层,其中所述有源层设置于所述显示区和所述弯折区的所述缓冲层上;S3,提供一第一光罩,通过所述第一光罩同时在所述显示区形成从所述显示区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述阻隔层中的第一凹槽和从所述弯折区的所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层中的第二凹槽的第一槽体;2CN111106149A权利要求书2/2页S4,提供一第二光罩,通过所述第二光罩在所述弯折区形成从所述第一槽体靠近所述基板的表面贯穿至基板中的第二凹槽的第二槽体。7.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,S2中还包括:在所述有源层上制备第一栅极绝缘层;在所述第一栅极绝缘层上制备第一栅极层;在所述第一栅极层上制备第二栅极绝缘层;在所述第二栅极绝缘层与所述层间绝缘层之间制备第二栅极层。8.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:S5,在所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充有机材料分别形成第一有机层和第二有机层。9.根据权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述S4中:通过第二光罩同时在所述显示区形成从所述层间绝缘层远离所述基板的表面贯穿至所述有源层远离所述基板的表面的第三凹槽和第四凹槽。10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括:S6,在所述层间绝缘层上制备源漏极层,所述源漏极层包括源极和漏极,所述源极和漏极分别通过第三凹槽和第四凹槽连接于所述有源层上。3CN111106149A说明书1/6页一种显示面板及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领