一种显示面板及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110739270A(43)申请公布日2020.01.31(21)申请号201910931870.3(22)申请日2019.09.29(71)申请人云谷（固安）科技有限公司地址065500河北省廊坊市固安县新兴产业示范区(72)发明人黄振(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/77(2017.01)H01L27/12(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图3页(54)发明名称一种显示面板及其制备方法(57)摘要本发明实施例涉及显示技术领域，公开了一种显示面板及其制备方法。本发明中的显示面板的制备方法，包括：提供基板；在基板上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行第一次曝光处理以及第一次显影处理，去除第一区域的第一光刻胶层，形成图形化的第一光刻胶层；在基板和图形化的第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对第二光刻胶层进行第二次曝光处理以及第二次显影处理，去除第二区域的第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层，其中，第二区域在所述基板上的正投影与所述第一区域在所述基板上的正投影至少部分重叠。本发明的实施例还提供了一种显示面板。本发明提供的显示面板及其制备方法，能够改善有机胶残留，提高器件性能。CN110739270ACN110739270A权利要求书1/1页1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行第一次曝光处理以及第一次显影处理，去除第一区域的第一光刻胶层，形成图形化的第一光刻胶层；在所述基板和所述图形化的第一光刻胶层上形成第二光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行第二次曝光处理以及第二次显影处理，去除第二区域的第二光刻胶层，形成图形化的第二光刻胶层，其中，所述第二区域在所述基板上的正投影与所述第一区域在所述基板上的正投影至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二光刻胶层的厚度小于所述第一光刻胶层的厚度。3.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一区域在所述基板上的正投影位于所述第二区域在所述基板上的正投影内部；优选的，所述第二区域在所述基板上的正投影与所述第一区域在所述基板上的正投影完全重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为正性光刻胶、或所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层均为负性光刻胶。5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层中一者为正性光刻胶、另一者为负性光刻胶；优选的，所述第一光刻胶层为负性光刻胶，所述第二光刻胶层为正性光刻胶。6.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成图形化的第二光刻胶层之后，还包括：检测所述第二区域是否存在光刻胶残留；若是，在所述基板和所述图形化的第二光刻胶层上形成第三光刻胶层；对所述第三光刻胶层进行第三次曝光处理以及第三次显影处理，去除第三区域的第三光刻胶层，形成图形化的第三光刻胶层；其中，所述第三区域在所述基板上的正投影与所述第二区域在所述基板上的正投影完全重叠；优选的，所述第三光刻胶层的厚度小于所述第二光刻胶层的厚度。7.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述形成图形化的第二光刻胶层之后，还包括：以所述图形化的第二光刻胶层和所述图形化的第一光刻胶层为掩膜，刻蚀所述基板。8.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，形成所述第二光刻胶层的胶体的粘度大于形成所述第一光刻胶层的胶体的粘度。9.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层的厚度范围为1.5微米至2.0微米，所述第二光刻胶层的厚度范围为0.2微米至0.5微米。10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1至9任一项所述的显示面板的制备方法制备而成。2CN110739270A说明书1/8页一种显示面板及其制备方法技术领域[0001]本发明实施例涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法。背景技术[0002]OLED(organiclightemittingdiode，有机发光二极管)具有自发光、低能耗、宽视角、色彩丰富、快速响应等优良特性，因此，引起了科研界和产业界的极大兴趣，被认为是极具潜力的下一代技术。OLED显示面板在制备过程中需经过很多工艺流程，例如，针对薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：TFT)驱动工艺流程，在金属膜层和无机膜层制程后，通常需进行图形化处理，即光刻工艺。[0003]发明人发现现有技术中至少存在如下问题：由于膜层表面存在微粒或光刻工艺过程中微