一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110760914A(43)申请公布日2020.02.07(21)申请号201910976221.5C25D11/18(2006.01)(22)申请日2019.10.15(71)申请人乾乐欣展新材料技术（上海）有限公司地址201400上海市奉贤区南桥镇旗港路730号3幢(72)发明人周文英程展李长岭张剑丁金龙施华吴伟夏海燕别红玲(74)专利代理机构上海点威知识产权代理有限公司31326代理人许晓琳(51)Int.Cl.C25D11/16(2006.01)C25D11/06(2006.01)权利要求书1页说明书4页(54)发明名称一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法(57)摘要本发明涉及铝基板工艺技术领域，且公开了一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法，包括以下步骤：铝基板的预处理；铝基板的稀硝酸中和；铝基板的表面粗化处理；铝基板的氧化处理；铝基板表面的酸碱中和；铝基板烘干。该在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法，在铝基板放入后，AC溶液能与铝基板充分反应，加快表面的油脂的清理速率，也可以除去自然氧化层，避免后面工艺影响增加处理时间，再进行残留辅助液进行中和，并且在超声波的清理下，加快的清洗效率，最后将氧化处理完成的铝基板进行滴水处理，再烘干，通过这样的方式，大大了缩减的加工反应时间，减少了加工误差，避免氧化返工，达到了快速形成的目的。CN110760914ACN110760914A权利要求书1/1页1.一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)铝基板的预处理，先向清理槽内注入一半清水，然后在搅拌下慢慢加入计算量的AC，再补水至规定体积，然后将需要清洗铝基板加入到清洗槽内，进行超声清理2-10分钟，清洗完成后，将其取出，用清水对铝基板重复冲洗两次，再在其它清理槽内加入含有氢氧化钠化合物的蚀洗溶液，使其温度保持在50-70℃内，然后把清洗完成的铝基板放入这个清理槽内，清理3-10分钟，再将铝基板放入准备好的水槽内进行清洗，再次取出放到另外一个水槽进行搅拌清洗，同步操作对铝基板清洗两次；2)铝基板的稀硝酸中和，先向中和槽内注入三分之二的清水，然后在搅拌下慢慢加入计算量的100-500g/L稀硝酸，再补水至规定体积，然后在室温下将铝基板放入槽内进行超声清洗3-6分钟，之后将铝基板取出用清水进行冲洗，依旧在室温下，将铝基板放置到硝酸和氢氟酸体积比为3∶1的混合液内，处理5-15秒后，再用清水对其冲洗，然后用水温位40-60度的热水对其清洗；3)铝基板的表面粗化处理，将预处理后的铝基板用盐酸通过喷淋的方式对进行表面洗蚀3-6分钟，之后放入到前后两侧均采用循环流动水的水槽内，依次清洗；4)铝基板的氧化处理，将表面粗化处理的铝基板放置到氢氧化钠、磷酸三钠、硬脂酸钠和水的电解液电解池内，以铝基板作为阳极，使阳极和阴极分别与电源的正极和负极电连接，电源采用脉冲电源，电源以恒定电流对铝基板进行阳极氧化，之后将铝基板取出放入第一个水槽PH值应低于5左右的水溶液内，对铝基板进行清洗，再放入到第二水槽PH5-7内，接近中性，第三个水槽采用循环流动水对其进行清洗，最后一个水槽采用相同的方式对铝基板进行最后的清洗；5)铝基板表面的酸碱中和，将氧化处理的铝基板放入到放有酸碱中和溶液的中和槽内，浸洗1-3分钟，待清洗完成后，取出采用清水对其进行冲洗；6)铝基板烘干，将清洗完成的铝基板放置存放架上进行滴水处理，然后再进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法，其特征在于：所述AC为酸性脱脂剂AC，所述AC的浓度为4-7％，所述AC的温度保持在20-30℃内。3.根据权利要求1所述的一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法，其特征在于：所述稀硝酸的浓度为80-160克/升，所述稀硝酸的温度保持在常温-50℃。2CN110760914A说明书1/4页一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法技术领域[0001]本发明涉及铝基板工艺技术领域，具体为一种在铝基板表面快速形成氧化膜层的方法。背景技术[0002]铝基板是一种具有良好散热功能的金属基覆铜板，一般单面板由三层结构所组成，分别是电路层(铜箔)、绝缘层和金属基层，用于高端使用的也有设计为双面板，结构为电路层、绝缘层、铝基、绝缘层和电路层，铝基板工艺是指以技术上的先进和经济上的合理为原则，以最终制成品的优良品质为目的，对铝基板的加工和处理过程制定合理可行的规范，保证生产过程顺利进行，其基本工艺流程包括开料、钻孔、干膜光成像、检板、蚀刻、蚀检、绿油、字符、绿检、喷锡、铝基面处理、冲板、终检、包装和出货，随着电子技术的发展和进步，电子产品向轻、薄、小、个性化、高可靠性和多功能化已成为必然趋势，铝