改善ILD氧化层剥落的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110880450A(43)申请公布日2020.03.13(21)申请号201911192613.9(22)申请日2019.11.28(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201315上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人李昱廷却玉蓉王光灵孙敏强(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/306(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称改善ILD氧化层剥落的方法(57)摘要本发明公开了一种改善ILD氧化层剥落的方法，包括如下步骤：步骤1、在ILD0CMP后先叠上一层氧化层；步骤2、上光阻并曝光显开不含晶边的中间位置；步骤3、将曝开区域的氧化层以刻蚀方式移除；步骤4、将晶边剩下的光阻拔除即可在保留晶边加厚氧化层。本发明能够有效改善后续铝金属残留以及氧化层剥落。CN110880450ACN110880450A权利要求书1/1页1.一种改善ILD氧化层剥落的方法，，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、在ILD0CMP后先叠上一层氧化层；步骤2、上光阻并曝光显开不含晶边的中间位置；步骤3、将曝开区域的氧化层以刻蚀方式移除；步骤4、将晶边剩下的光阻拔除即可在保留晶边加厚氧化层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤1所述氧化层的厚度为3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤2所述晶边的半径半径大于147mm。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：实施步骤3时应不损伤栅极高度。2CN110880450A说明书1/2页改善ILD氧化层剥落的方法技术领域[0001]本发明涉及领域半导体集成电路领域，特别是涉及一种改善ILD(介电层)氧化层剥落的方法。背景技术[0002]由于HK(高介电系数金属)28nm产品在STI(浅沟槽隔离)制程中有作晶边刻蚀的制程(2.2mm)，以致于到中后段制程都会延续此区域过低且无图案的现象，而在介电层零化学机械研磨后此处更会产生严重的塌陷问题，进而造成后续铝栅极机械研磨后的铝金属残留问题，且在之后的介电层化学机械研磨后，也会因为此处较低而有较薄的氧化层留在此处残留的铝金属上，因此这较薄的氧化层并不牢固，在随后的接触孔刻蚀的制程就会破坏此结构而造成氧化层剥落，进而阻塞后续要填充钨金属的孔洞。发明内容[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种改善ILD氧化层剥落的方法，能够有效改善后续铝金属残留以及氧化层剥落。[0004]为解决上述技术问题，本发明的改善ILD氧化层剥落的方法是采用如下技术方案实现的：[0005]步骤1、在ILD0(介电层零)CMP(化学机械研磨)后先叠上一层的氧化层；[0006]步骤2、上光阻并曝光显开不含晶边的中间位置；[0007]步骤3、将曝开区域的氧化层以刻蚀方式移除；[0008]步骤4、将晶边剩下的光阻拔除即可在保留晶边加厚氧化层。[0009]钨金属导线是连接铜金属层及元件的重要桥梁，因此被介电层所阻隔以致无法导通的钨金属导线将使得器件效能失效。而在铝金属栅极制作过程中，若有铝金属的残留也会造成元件与元件间的短路进而影响最终电性结果。为此，采用本发明的方法，通过晶边加厚氧化层，即可改善后续铝金属残留以及氧化层剥落，同时改善上述两个致命的问题。附图说明[0010]下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：[0011]图1是所述改善ILD氧化层剥落的方法流程示意图。具体实施方式[0012]结合图1所示，所述改善ILD氧化层剥落的方法在下面的实施例中，是采用如下技术方案实现的：[0013]步骤1、在ILD0CMP后先叠上一层氧化层，所叠上的所述氧化层的厚度为[0014]步骤2、上光阻并曝光显开不含晶边的中间位置。被显开的所述晶边的半径大于147mm。3CN110880450A说明书2/2页[0015]步骤3、将曝开区域的氧化层移除。移除所述氧化层采用刻蚀方式，具体实施时应不损伤栅极高度。[0016]步骤4、将晶边剩下的光阻拔除，即可在保留晶边加厚氧化层。[0017]以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。4CN110880450A说明书附图1/1页图15