一种工艺气体的吹扫方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110943003A(43)申请公布日2020.03.31(21)申请号201811107764.5(22)申请日2018.09.21(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地址100176北京市北京经济技术开发区文昌大道8号(72)发明人林伟华魏明蕊吴艳华王玉霞(74)专利代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司11112代理人彭瑞欣张天舒(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)C23C16/455(2006.01)C23C16/40(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图4页(54)发明名称一种工艺气体的吹扫方法(57)摘要本发明提供一种工艺气体的吹扫方法，包括：工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；工艺后阶段，在被加工工件进行主工艺之后且移出反应腔室后，向进气管路通入吹扫气体，以对进气管路和反应腔室进行吹扫。本发明提供的工艺气体的吹扫方法，其可以减少进气管路和反应腔室中残留的工艺气体，使加工工艺后的被加工工件上的颗粒数量减少，从而满足颗粒度控制的标准。CN110943003ACN110943003A权利要求书1/1页1.一种工艺气体的吹扫方法，其特征在于，包括：工艺前阶段，在被加工工件进行主工艺之前，向进气管路通入吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入排气管路；工艺后阶段，在所述被加工工件进行所述主工艺之后且移出反应腔室后，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路和所述反应腔室进行吹扫。2.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之后，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。3.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺前阶段，包括：第一吹扫阶段，在将所述被加工工件装载至所述反应腔室内的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路；第二吹扫阶段，在对所述被加工工件进行预加热的同时，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。4.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第一吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。5.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第二吹扫阶段，向所述进气管路通入氧气，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。6.根据权利要求3所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺前阶段还包括：第三吹扫阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，并使所述吹扫气体携带所述工艺气体通过所述进气管路直接进入所述排气管路。7.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，所述工艺后阶段，在所述被加工工件移出所述反应腔室之前，包括：第四吹扫阶段，在所述被加工工件进行加工工艺之后且移出所述反应腔室前，向所述进气管路通入所述吹扫气体，且使所述吹扫气体通入所述反应腔室内，以对所述反应腔室进行吹扫；第五吹扫阶段，对所述被加工工件进行降温，向所述进气管路通入所述吹扫气体，以对所述进气管路进行吹扫，且使吹扫后的气体直接进入所述排气管路。8.根据权利要求7所述的吹扫方法，其特征在于，在所述第四吹扫阶段中，向所述进气管路通入氧气，且使所述氧气通入所述反应腔室内，以使所述氧气在所述反应腔室内与工艺气体进行反应。9.根据权利要求1-8任一项所述的吹扫方法，其特征在于，还包括：工艺中阶段，向与所述进气管路连接的工艺气体源瓶通入所述吹扫气体，以携带所述工艺气体通过所述进气管路进入所述反应腔室进行工艺反应。10.根据权利要求1所述的吹扫方法，其特征在于，在所述工艺后阶段和所述工艺前阶段中，向所述进气管路通入所述吹扫气体的气体流量的取值范围为300sccm-1000sccm。2CN110943003A说明书1/6页一种工艺气体的吹扫方法技术领域[0001]本发明涉及微电子制造技术领域，具体地，涉及一种工艺气体的吹扫方法。背景技术[0002]目前，在微电子制造技术领域，随着半导体器件的尺寸越来越小，芯片的集成度越来越高，各项工艺指标的要求变得越来越严格，其中颗粒度控制是氧化成膜工艺中检验膜质的一项重要的工艺指标，在氧化成膜工艺中，采用DCE(C2H2CL2，二氯乙烯)氧化工艺，可以提升氧化层生长速率，提高氧化层质量，但是由于其物理特性，会对颗粒度控制产生影响。[0003]现有技