一种划分NANDFlash Wordline分组的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111081306A(43)申请公布日2020.04.28(21)申请号201911309169.4(22)申请日2019.12.18(71)申请人山东华芯半导体有限公司地址250101山东省济南市高新区新泺大街1768号齐鲁软件园大厦B座二层(72)发明人曹成(74)专利代理机构济南泉城专利商标事务所37218代理人李桂存(51)Int.Cl.G11C29/08(2006.01)G11C29/56(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图2页(54)发明名称一种划分NANDFlashWordline分组的方法(57)摘要本发明公开一种划分NANDFlashWordLine分组的方法，本方法首先确定影响NANDFlash数据保存能力最为严重的因素分别为擦写次数、数据驻留时间和读干扰；然后分别在单一影响因素和混合不同影响因素的情况下进行测试，最后统计所有WordLine在各种测试情况下的变化趋势，归纳变化趋势相同的Wordline为一组。基本本方法，将NANDFlash内具有一致性的Wordline划分为一组，NANDFLASH使用者在之后的使用或者测试中根据分组进行异同点分析，归纳相应处理方案。CN111081306ACN111081306A权利要求书1/1页1.一种划分NANDFlashWordLine分组的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、确定影响NANDFlash数据保存能力最为严重的因素分别为擦写次数、数据驻留时间和读干扰；S02）、选定单一影响因素进行测试，在该影响因素变化情况下采集每个Wordline的数据，数据内容包括测试条件、Wordline序号、Wordline错误比特数；S03）、混合不同的影响因素进行测试，采集每个Wordline的数据，数据内容包括测试条件、Wordline序号、Wordline错误比特数；S04）、分析每类测试下同一Wordline的数据，统计出随着影响因素的变化同一Wordline的错误比特数的变化趋势或者随着驻留时间增长或者读干扰次数增长，计算出每一段时间间隔或者次数间隔计算前后2次或者多次的变化百分比；S05）、统计所有Wordline的错误笔比特数的变化百分比，归纳变化趋势相同的Wordline为一组。2.根据权利要求1所述的划分NANDFlashWordLine分组的方法，其特征在于：混合不同的的影响因素进行测试包括两种情况，一是在一定擦写次数下变化数据驻留时间长短，另外一种是在一定擦写次数下变化读干扰的次数。3.根据权利要求1所述的划分NANDFlashWordline分组的方法，其特征在于：Wordline的错误比特数或者变化百分比进行图形化呈现。4.根据权利要求1所述的划分NANDFlashWordline分组的方法，其特征在于：将Wordline分为6组或者8组。2CN111081306A说明书1/2页一种划分NANDFlashWordline分组的方法技术领域[0001]本发明公开一种划分NANDFlashWordline分组的方法，属于NANDFlash测试技术领域。背景技术[0002]NANDFlash基于浮栅（FloatingGate）晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷，电荷被储存在浮栅中，每个浮栅(FloatingGate)晶体管对应一个存储单元（cell），其中每个cell的漏极对应位线（Bitline），栅极对应字线（Wordline），源极都连在一起。每个页(Page)对应着一个字线（Wordline），多个字线（Wordline）组成一个块（Block）。[0003]考虑到块（Block）内部的拓扑结构的不同，导致处于不同位置的字线（Wordline）在同一环境条件下表现出不同的特性，需要将表现具有一致性的字线（Wordline）划分为一组。之后对不同组的字线（Wordline）进行分析测试，总结组之间的相同点与不同点，进行相应处理。发明内容[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种划分NANDFlashWordline分组的方法，基本本方法，将NANDFlash内具有一致性的Wordline划分为一组，NANDFLASH使用者在之后的使用或者测试中根据分组进行异同点分析，归纳相应处理方案。[0005]为了解决所述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种划分NANDFlashWordLine分组的方法，包括以下步骤：S01）、确定影响NANDFlash数据保存能力最为严重的因素分别为擦写次数、数据驻留时间和读干扰；S02）、选定单一影响因素进行测试，在该影响因素变化情况下采集每个Wordline的数据，数据内容包括测试条件、Wordline序号、Wordline错误