一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111117796A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号202010054315.XC11D11/00(2006.01)(22)申请日2020.01.17(71)申请人重庆理工大学地址400054重庆市巴南区李家沱红光大道69号(72)发明人甘贵生曹华东刘歆江兆琪许乾柱陈仕琦甘树德(74)专利代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司50212代理人李媛(51)Int.Cl.C11D1/825(2006.01)C11D3/04(2006.01)C11D3/28(2006.01)C11D3/30(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法(57)摘要本发明提供了一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法，所述清洗剂包括异构醇醚类化合物和琥珀酯嵌段聚物及其配合物，所述异构醇醚类化合物和琥珀酯嵌段聚物及其配合物的总量不得低于所述清洗剂的5%。通过上述组分的相互作用下即能够有效的增加对电子元件平面、微孔口和微槽口处的保护，避免对其蚀刻，也增强对微孔、微槽底部和侧壁的清洗效果，保持微孔、微槽原有结构，从而保证集成电路的电子性能和高产品率。清洗工艺易操作，清洗后的电路表面无残留，洁净度高，焊点光亮，且无蚀刻，低挥发性、不会产生有毒气体等，可用于电子元器件的日常清洗。CN111117796ACN111117796A权利要求书1/1页1.一种高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，包括异构醇醚类化合物和琥珀酯嵌段聚物及其配合物，所述异构醇醚类化合物和琥珀酯嵌段聚物及其配合物的总量不得低于所述清洗剂的5%。2.根据权利要求1所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述异构醇醚类化合物是异构醇和环氧乙烷的缩合物。3.根据权利要求1所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述异构醇醚类化合物与琥珀酯嵌段聚物及其配合物的质量比为1~7：1~3。4.根据权利要求1所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述清洗剂还包括缓蚀剂和光亮剂。5.根据权利要求4所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述缓蚀剂为钼酸钠和/或苯并三氮唑。6.根据权利要求4所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述光亮剂为乙醇胺、三乙醇胺和失水山梨醇单油酸酯中的一种或任意两种的混合物。7.根据权利要求4所述高集成封装用水基清洗剂，其特征在于，所述清洗剂由以下重量百分比的原料组成：异构醇醚类化合物1%~7%；琥珀酯嵌段聚物及其配合物4%~9%；缓蚀剂0.01%~0.25%；光亮剂2%~5%；余量为去离子水。8.一种如权利要求1~7任一项所述高集成封装用水基清洗剂的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：按照原料组分配制清洗剂，然后将其密封，并将所述清洗剂加热至20℃~55℃，设置喷淋设备进行清洗，清洗结束后用常温去离子水漂洗，再将其烘干即可。9.根据权利要求8所述高集成封装用水基清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述喷淋设备步进频率为350HZ~450HZ，水压参数为0.1MP~0.25MP。10.根据权利要求8所述高集成封装用水基清洗剂的清洗方法，其特征在于，所述烘干温度为70℃~95℃，时间为0.5~1h。2CN111117796A说明书1/6页一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法技术领域[0001]本发明属于电子工业清洗剂技术领域，具体涉及一种高集成封装用水基清洗剂及其清洗方法。背景技术[0002]近年来，随着国内电子信息产业的蓬勃发展，封装技术的高密度化，高集成化，同时伴随着三维封装技术的出现，超摩尔定律随之诞生，极小的间距差使得封装要求也变得更加严格。稍许的助焊剂残留以及大气中微小颗粒，尘土等，都有可能造成电路接触不良、短路乃至于整个电路瘫痪，使得小型元器件无法正常工作，轻则设备运行不佳，工业误差变大（如传感器，测试仪）；重则导致其它安全事故。为避免这些情况的产生，保证质量和性能达到要求，在电子产品的加工过程中，需要引进清洗工艺并使用清洗剂。[0003]在现代的电子产业的高集成封装过程中，往往在导线孔和导线槽的底部和侧壁会沉积较多的固体残渣以及由等离子体溅射而形成的有机和无机化合物。然而在清洗过程中，由于滞流层的存在彻底清除沉积于微孔和微槽底部和侧壁的残留物更显得困难。为了彻底清除沉积在微孔微槽底部和侧壁的杂质，清洗的时间需要进一步延长，结果导致绝缘介质在平面、微孔口和微槽口处这些易于清洗部位被过多地蚀刻掉，形成倒棰形的微孔、微槽侧面结构。使用现有技术中常用的清洗液会导致集成电路集成度降低，增加了金属导线之间错接的可能性。目前现有的清洗液不能有选择性地抑制平面，微孔口和微槽口处对绝缘介质的过高蚀刻速度，也不能有选择性地增强对微孔、微槽底部和侧壁这些