半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111128741A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号201911046623.1H01L27/092(2006.01)(22)申请日2019.10.30(30)优先权数据62/753,3482018.10.31US16/371,4982019.04.01US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人陈彦廷李威养杨丰诚陈燕铭(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/336(2006.01)H01L29/78(2006.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书14页附图38页(54)发明名称半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明公开了一种包括气态间隔件的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种方法，包括：在衬底上形成栅极叠层；在所述栅极叠层的侧壁上形成第一栅极间隔件；在所述第一栅极间隔件上形成第二栅极间隔件；移除所述第二栅极间隔件的一部分，保留所述第二栅极间隔件的至少一部分；移除所述第一栅极间隔件，以形成第一开口；以及在移除所述第一栅极间隔件后，通过所述第一开口移除所述第二栅极间隔件的所述保留部分。CN111128741ACN111128741A权利要求书1/1页1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极叠层；在所述栅极叠层的侧壁上形成第一栅极间隔件；在所述第一栅极间隔件上形成第二栅极间隔件；移除所述第二栅极间隔件的一部分，其中，保留所述第二栅极间隔件的至少一部分；移除所述第一栅极间隔件，以形成第一开口；以及在移除所述第一栅极间隔件后，通过所述第一开口移除所述第二栅极间隔件的保留部分。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二栅极间隔件包括氮化硅。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一栅极间隔件包括氧化硅。4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用汽相氟化氢的蚀刻，移除所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的保留部分。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域，其中，在所述源极/漏极区域和所述衬底之间设置所述第二栅极间隔件的所述保留部分。6.根据权利要求1所述的方法，还包括在移除所述第二栅极间隔件的部分之后，在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域，其中，在移除所述第一栅极间隔件之前，外延生长所述源极/漏极区域。7.根据权利要求1所述的方法，还包括在移除所述第一栅极间隔件之前，用金属栅极替换所述栅极叠层。8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过干法蚀刻，移除所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的保留部分。9.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅极叠层；在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔件；在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域；移除所述栅极间隔件的至少一部分，以形成开口；以及沉积密封所述开口的介电层，并在所述栅极间隔件的侧壁上限定气态间隔件。10.一种半导体器件，包括：栅极叠层，所述栅极叠层位于半导体衬底上；第一栅极间隔件，所述第一栅极间隔件设置在所述栅极叠层的侧壁上；接触蚀刻停止层，所述接触蚀刻停止层靠近所述第一栅极间隔件；气态间隔件，所述气态间隔件设置在所述栅极叠层和所述接触蚀刻停止层之间；以及外延源极/漏极区域，所述外延源极/漏极区域位于所述半导体衬底中，其中，所述气态间隔件的至少一部分延伸在所述外延源极/漏极区域和所述半导体衬底之间。2CN111128741A说明书1/14页半导体器件及其制造方法技术领域[0001]本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及半导体器件及其制造方法。背景技术[0002]半导体器件用于各种电子应用，比如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过在半导体衬底上顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在其上形成电路部件和元件来制造。[0003]半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来继续改善各种电子部件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这使更多部件可集成到给定区域中。但是，随着最小部件尺寸的减小，出现了应该解决的其他问题。发明内容[0004]根据本申请的实施例，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成栅极叠层；在所述栅极叠层的侧壁上形成第一栅极间隔件；在所述第一栅极间隔件上形成第二栅极间隔件；移除所述第二栅极间隔件的一部分，其中，保留所述第二栅极间隔件的至少一部分；移除所述第一栅极间隔件，以形成第一开口；以及在移除所述第一栅极间隔件后，通过所述第一开口移除所述第二栅极间隔件的保留部分。[0005]根据本