一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置及方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111192843A(43)申请公布日2020.05.22(21)申请号202010139623.2(22)申请日2020.03.03(71)申请人大连威凯特科技有限公司地址116000辽宁省大连市甘井子区营城子镇工业园区营日路40号-1、40号-2、40号-3(72)发明人张小飞张纪尧(74)专利代理机构大连东方专利代理有限责任公司21212代理人徐华燊李洪福(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置及方法(57)摘要本发明提供一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置及方法。本发明包括：箱体，箱体内部设有容纳待处理硅晶片的空间，箱体包括物料进出口，所述箱体外壁布置多个微波源，其用于挥发掉硅晶片表面的水和污染残留，所述箱体设有进风口和出风口，所述进风口外部连接有进风管道和/或所述出风口外连接有出风管道，进风管道和/或出风管道与风机相连，使得进风口与出风口之间形成用于干燥硅晶片的空气流道。本发明能够提高干燥效率，降低能耗，在干燥过程中，利用微波能，蒸发硅片表面的水分，同时分解清洗剂残留，达到干燥、去污的目的，提高产品合格率，用较少的设备即可配合清洗流程的节拍，减少设备资金投入，减少占地面积和维护成本。CN111192843ACN111192843A权利要求书1/2页1.一种用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，包括：箱体，箱体内部设有容纳待处理硅晶片的空间，箱体至少有一个壁面能够全部分离或部分分离于相邻壁面，其用作物料的进出口，所述箱体外壁布置多个微波源，其用于挥发掉硅晶片表面的水分和污染残留，所述箱体设有进风口和出风口，所述进风口外部连接有进风管道和/或所述出风口外连接有出风管道，进风管道和/或出风管道与风机相连，使得进风口与出风口之间形成用于干燥硅晶片的空气流道。2.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，所述箱体为金属材质，箱体为多面体，各面相互连接，在干燥、去污工艺过程中，形成封闭的箱体，每一侧壁面形状相同或不同，壁面形状包括多边形平面或曲面。3.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，箱体的上壁为可分离的盖板或是铰接于其中一条侧壁或是通过设置在侧壁上的滑道连接在侧壁上，基于此形成供物料进出的通道。4.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，在所述箱体的至少一个箱壁，开设至少一个进风口和出风口，所述进风口和出风口为预设形状，包括圆形和矩形，进风口总面积与壁面的比例为1/10-1/2，出风口总面积与壁面的比例为1/10-1/2。5.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，在干燥箱内底面风口以上位置，设置支架装置，其用于支撑装有硅晶片的篮框，以免篮框直接放置在干燥箱底面，影响空气流动效率。6.根据权利要求5所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，所述支架装置包括平板支撑部，其材质为金属或无机非金属或是高分子聚合物，所述平板支撑部的形状和规格与放置该支架装置处箱体的内腔截面相同，所述平板支撑部与箱体之间能够保持稳定，具体地，所述箱体的内腔侧壁设有支撑所述平板支撑部的凸起，或是所述平板支撑部的下方连接有支腿，以支腿形式布置在干燥箱底面。7.根据权利要求5所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，所述平板支撑部距底面20mm-200mm，在所述的支架平板上，按预设规律开有预设形状的孔，所述孔型包括圆形、矩形、长条形规则形状。8.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，所述箱体的壁面外侧按预设规律开有微波馈入孔，在其间安装有微波发射器，所述微波发射器与微波电源及控制器相连。9.根据权利要求1所述的用于硅晶片清洗后干燥、去污的装置，其特征在于，所述箱体的壁面安装有红外测温仪，其用于检测硅晶片表面的温度，其与控制器相连，控制器基于红外测温仪检测到的硅晶片温度与预设温度之间的关系，控制微波电源启闭状态。10.根据权利要求1～9任一项所述的装置的硅晶片清洗后干燥、去污方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、将装有清洗干净的硅晶片的篮框，通过干燥箱上壁打开的通道，放入干燥箱内的支架上；步骤2、放置1-5个篮框后，将干燥箱上盖关闭，微波电源接通后经微波发射装置向干燥箱内发射微波；2CN111192843A权利要求书2/2页步骤3、开启风机，干燥2-3分钟后，关闭微波电源，停止微波馈入，之后将干燥后的硅晶片以及篮框取出，转移至下一道工序。3CN111192843A说明书1/5页一种用