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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111263522A(43)申请公布日2020.06.09(21)申请号202010165209.9(22)申请日2020.03.11(71)申请人四川锐宏电子科技有限公司地址620564四川省眉山市仁寿县视高工业集中区(72)发明人陈绍智罗献军张勇王韦罗家兵郑海军罗伟杰(74)专利代理机构成都立新致创知识产权代理事务所(特殊普通合伙)51277代理人谭德兵(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称一种控深锣槽工艺(57)摘要本发明涉及一种控深锣槽工艺,其步骤为:S1、压合、外层钻孔后,机械锣槽,槽深小于实际槽深;S2、采用激光对槽进行切割,使其与实际要求深度一致;S3、进行去碳处理;S4、再进行沉铜、全板电镀、外层图形、图形电镀处理;S5、机械第二次锣槽,余留一层铜层;S6、利用激光对余留铜层切割,但不将余留铜层切除,沿槽棱边切割形成沟槽;S7、用具有针头的管先向沟槽处喷洒腐蚀剂,逐步向中心喷洒腐蚀剂,清洗并干燥;S8、利用弱激光束对腐蚀后的槽底部进行平整处理,然后再除胶处理;S9、然后再进行蚀刻、丝印阻焊、沉银、检测处理。本发明达到的有益效果是:不容易对下层层板表面产生损伤、槽质量好。CN111263522ACN111263522A权利要求书1/1页1.一种控深锣槽工艺,其特征在于:其步骤为:S1、压合、外层钻孔后,采用控深锣槽机进行第一次锣槽,形成初槽,初槽的深度小于实际槽深;S2、采用激光对初槽沿槽底棱边进行切割,将树脂烧除,加工后的槽为成型槽,成型槽的深度与实际深度要求一致;S3、采用等离子除胶设备对步骤S2中的成型槽进行去碳处理;S4、再进行沉铜、全板电镀、外层图形、图形电镀处理;S5、步骤S4完成后,采用控深锣槽机进行第二次锣槽,锣槽时在槽底部余留一层铜层;S6、利用激光对步骤S5中的槽底棱边处进行切割,但是不将余留铜层切除,在余留铜层的上表面沿槽底棱边激光切一个沟槽;S7、药物处理,用具有针头的管先向沟槽处喷洒腐蚀剂,逐步向中心喷洒腐蚀剂,腐蚀余留铜层,俯视腐蚀完成后清洗并干燥;S8、利用弱激光束对腐蚀后的槽底部进行平整处理,然后再除胶处理;S9、然后再进行蚀刻、丝印阻焊、沉银、检测处理。2.根据权利要求1所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S1中,所述控深锣槽的锣头具有倒角,使得初槽的底部棱边处具有厚料。3.根据权利要求2所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S1中,在初步锣槽时,采用具有出气头的出气管对准初槽孔,将初槽内的杂物吹走;所述的步骤S2中,在用激光切割初槽时,采用具有吸气头的吸气管对准槽,将槽内的杂物吸走,避免粘在切割的熔化区域,影响切割。4.根据权利要求3所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S7中,腐蚀的时间为3~10min。5.根据权利要求1~4所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S1中,初槽的底面高于下一层层板。6.根据权利要求5所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S5中,余留铜层的厚度为50~100um。7.根据权利要求6所述的一种控深锣槽工艺,其特征在于:所述的步骤S8中,弱激光束平整处理的时间小于5min。2CN111263522A说明书1/3页一种控深锣槽工艺技术领域[0001]本发明涉及PCB板制备技术领域,特别是一种控深锣槽工艺。背景技术[0002]对于一些尺寸以及厚度较大的PCB板来说,锣槽时其精度要求不是特别高。但是,随着电子产品向薄、小、微的方向发展,对PCB的槽精度要求也原来越高。[0003]由于PCB板是由多层板材压合形成的,因此目前对于四壁有铜底面无铜的槽,普遍操作大致步骤为:压合-外层钻孔-初步锣槽-沉铜-电镀-第二次锣槽-蚀刻……初步锣槽是一次性锣槽深度到位,第二次锣槽主要是去除底部的铜。但是初步锣槽时,一步锣槽到位只能是理论上的,实时上却很容易伤及底层的层板。例如,共有5层的层板,锣槽深度为4层层板,即到第5层层板的表面为止,若采用一步锣槽到位很容易损伤第五层的表面;即便是一些锣槽精度高的设备,也只能是精度得到提高,很难保证不伤及第5层层板的表面。[0004]为此,本公司采用一种控深锣槽工艺,以消除上述缺陷。发明内容[0005]本发明的目的在于克服现有技术的缺点,提供一种不容易对下层层板表面产生损伤、槽质量好的控深锣槽工艺。[0006]本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种控深锣槽工艺,其步骤为:S1、压合、外层钻孔后,采用控深锣槽机进行第一次锣槽,形成初槽,初槽的深度小于实际槽深;S2、采用激光对初槽沿槽底棱边进行切割,将树脂烧除,加工后的槽为成型槽,成型槽的深度与实际深度要求一致