化学机械研磨装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111360691A(43)申请公布日2020.07.03(21)申请号202010293934.4B08B13/00(2006.01)(22)申请日2020.04.15(71)申请人长江存储科技有限责任公司地址430074湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号(72)发明人方青春(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)31294代理人孙佳胤陈丽丽(51)Int.Cl.B24B37/34(2012.01)B24B37/005(2012.01)B24B49/00(2012.01)B08B3/02(2006.01)B08B11/00(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称化学机械研磨装置(57)摘要本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。所述化学机械研磨装置包括：传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。本发明一方面，减少了晶圆表面的杂质残留，提高了晶圆表面的洁净度，确保了后续工艺的顺利进行；另一方面，在晶圆传输的同时完成晶圆的清洗工序，节省了晶圆产品的制程时间，从而提高了半导体的生产效率。CN111360691ACN111360691A权利要求书1/1页1.一种化学机械研磨装置，其特征在于，包括：传送结构，用于沿预设路径在所述化学机械研磨装置内部传输晶圆；喷嘴，沿所述预设路径设置，用于在所述传送结构沿所述预设路径传输所述晶圆的过程中向所述晶圆喷射清洗液。2.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括：传感器，用于检测所述传送结构是否沿所述预设路径传输晶圆，若是，则驱动所述喷嘴向所述传送结构传输的晶圆表面喷射所述清洗液。3.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述喷嘴的数量至少为两个，且两个所述喷嘴设置在所述预设路径的相对两侧。4.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括用于研磨晶圆的研磨台；所述预设路径包括：第一子预设路径，所述传送结构沿所述第一子预设路径将晶圆传输至所述研磨台研磨；第二子预设路径，所述传送结构沿所述第二子预设路径将研磨后的所述晶圆传输至外界；所述喷嘴包括沿所述第一子预设路径设置的第一子喷嘴和沿所述第二子预设路径设置的第二子喷嘴。5.根据权利要求4所述的化学机械研磨装置，其特征在于，在沿竖直方向上，所述第一子预设路径位于所述第二子预设路径上方；所述第一子喷嘴沿竖直方向上的投影与所述第二子喷嘴重合。6.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述喷嘴包括沿所述预设路径的延伸方向排布的多个喷口；所述喷口用于沿预设角度向所述传送结构传输的所述晶圆倾斜喷射所述清洗液。7.根据权利要求6所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述预设角度为相对于所述晶圆的传输方向倾斜30°～60°的方向。8.根据权利要求6所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括：控制器，用于调整所述喷口喷出的所述清洗液的流速。9.根据权利要求1所述的化学机械研磨装置，其特征在于，所述清洗液为超声去离子水。10.根据权利要求9所述的化学机械研磨装置，其特征在于，还包括：管道，用于与所述喷嘴连通，以将存储于所述化学机械研磨装置外部的所述超声去离子水传输至所述喷嘴。2CN111360691A说明书1/5页化学机械研磨装置技术领域[0001]本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种化学机械研磨装置。背景技术[0002]化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是一个通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。研磨过程中研磨头施加一定的压力在晶圆背面使晶圆正面紧贴研磨垫。同时，研磨头带动晶圆和研磨垫同方向旋转，使晶圆正面与研磨垫产生机械摩擦。在研磨过程中，通过一系列复杂的机械和化学作用去除晶圆表面的一层薄膜，从而达到晶圆平坦化的目的。[0003]化学机械研磨过程通常是在化学机械研磨装置内部的研磨台中进行。但是，由于当前化学机械研磨装置结构的限制，在研磨前对位于化学机械研磨装置内部的晶圆清洗的效率较低，从而一方面导致晶圆在研磨前或者研磨后表面残留有颗粒物等杂质，另一方面降低了化学机械研磨装置的产能，进而也导致了晶圆产品产率的降低。另外，研磨前晶圆表面杂质的残留会导致晶圆在研磨过程中表面出现划痕等缺陷，严重时甚至导致晶圆的报废，从而导致晶圆产品质量的降低。[0004]因此，如何提高化学机械研磨装置内部晶圆清洗的效率，从而提高化学机械研磨装置的产能，是当前亟待解决的技术问题。发明内容[0005]本发明提供一种化学机械研磨