显示基板的制备方法和显示基板、显示面板、显示装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111610657A(43)申请公布日2020.09.01(21)申请号202010575550.1(22)申请日2020.06.22(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人武汉京东方光电科技有限公司(72)发明人陈炎苏醒张荡吴伟(74)专利代理机构北京中博世达专利商标代理有限公司11274代理人赵丹(51)Int.Cl.G02F1/1333(2006.01)G02F1/1335(2006.01)G03F7/00(2006.01)G03F7/004(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图12页(54)发明名称显示基板的制备方法和显示基板、显示面板、显示装置(57)摘要本公开实施例提供一种显示基板的制备方法、显示基板、双盒液晶显示面板、显示装置及掩膜板，涉及显示技术领域，可解决周边盒厚偏高的问题，同时降低掩膜的成本。所述显示基板的制备方法包括：在衬底基板上涂覆黑色光刻胶；使用掩膜板对涂覆的所述黑色光刻胶进行曝光；对曝光后的所述黑色光刻胶进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵；所述黑矩阵包括第一区域和第二区域；所述第一区域与所述显示基板的显示区域对应，且所述第一区域包括去除黑色光刻胶的开口区域和保留黑色光刻胶的非开口区域；所述第二区域与所述显示基板的非显示区域对应，且所述第二区域形成有凹坑。本公开实施例提供的显示基板的制备方法用于制备盒厚均匀的显示基板。CN111610657ACN111610657A权利要求书1/2页1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上涂覆黑色光刻胶；使掩膜板与涂覆有所述黑色光刻胶的衬底基板对准；基于对准后的掩膜板对涂覆的所述黑色光刻胶进行曝光；对曝光后的所述黑色光刻胶进行显影，以在所述衬底基板上形成黑矩阵；其中，所述黑矩阵包括第一区域和第二区域；所述第一区域与所述显示基板的显示区域对应，且所述第一区域包括去除黑色光刻胶的开口区域和保留黑色光刻胶的非开口区域；所述第二区域与所述显示基板的非显示区域对应，且所述第二区域形成有凹坑。2.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述黑色光刻胶为负性光刻胶，所述掩膜板与所述开口区域对应的区域为遮光区域，所述掩膜板与所述非开口区域为透光区域，所述掩膜板与所述第二区域对应的区域包括透光区域；基于对准后的掩膜板对涂覆的所述黑色光刻胶进行曝光的步骤包括：对与所述非开口区域和所述第二区域对应的黑色光刻胶进行曝光；对曝光后的所述黑色光刻胶进行显影的步骤包括：保留被曝光的黑色光刻胶，并去除未被曝光的黑色光刻胶，从而形成所述黑矩阵，且所述黑矩阵的所述第二区域中形成的凹坑的凹陷深度为中间大外围小。3.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述黑色光刻胶为正性光刻胶，所述掩膜板与所述非开口区域对应的区域为遮光区域，所述掩膜板与所述开口区域为透光区域，所述掩膜板与所述第二区域对应的区域包括透光区域；基于对准后的掩膜板对涂覆的所述黑色光刻胶进行曝光的步骤包括：对与所述开口区域和所述第二区域对应的黑色光刻胶进行曝光；对曝光后的所述黑色光刻胶进行显影的步骤包括：保留未被曝光的黑色光刻胶，并去除被曝光的黑色光刻胶，从而形成所述黑矩阵，且所述黑矩阵的所述第二区域中形成的凹坑的凹陷深度为中间小外围大。4.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，使掩膜板与涂覆有所述黑色光刻胶的衬底基板对准的步骤之前，所述显示基板的制备方法还包括：确定所述掩膜板与所述第二区域对应的透光区域的大小，以控制所述凹坑的凹陷深度。5.根据权利要求4所述的显示基板的制备方法，其特征在于，确定所述掩膜板与所述第二区域对应的透光区域的大小包括：步骤1：为所述掩膜板与所述第二区域对应的透光区域的大小设定初始值；步骤2：使用所述掩膜板制备所述显示基板的样品，使用所述显示基板的样品制备调光子面板的样品；步骤3：检测所述调光子面板的样品的周边区盒厚和显示区盒厚；步骤4：判断所述周边区盒厚和所述显示区盒厚的差值的绝对值是否大于预设值；当所述周边区盒厚和所述显示区盒厚的差值的绝对值大于预设值时，调整所述初始值的大小并重复执行步骤2a至步骤4a，直到所述周边区盒厚和所述显示区盒厚的差值的绝对值小于或等于所述预设值时结束；2CN111610657A权利要求书2/2页所述掩膜板与所述第二区域对应的透光区域的大小为最后一次执行步骤2至步骤4时，所述初始值的大小。6.根据权利要求5所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述预设值位于0.05um～0.1um的范围内。7.根据权利要求1所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述黑矩阵远离所述衬底基板的表面