对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111968962A(43)申请公布日2020.11.20(21)申请号201910419613.1(22)申请日2019.05.20(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人范聪聪(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.H01L23/544(2006.01)H01L21/027(2006.01)H01L21/033(2006.01)G03F1/42(2012.01)权利要求书2页说明书9页附图5页(54)发明名称对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种对准图形、具有对准图形的半导体结构及其制造方法，制造方法包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。本发明能够减小对准图形中空旷区域的面积，避免由于刻蚀残留物导致的缺陷问题，从而改善对准质量。CN111968962ACN111968962A权利要求书1/2页1.一种对准图形，其特征在于，包括：沿第一方向排列的至少两个标准图形区，每一标准图形区包括至少两个分立的子图形区，在沿所述第一方向上，每一所述标准图形区中相邻所述子图形区之间的距离为第一距离，相邻所述标准图形区之间的距离为第二距离，且所述第二距离大于所述第一距离；遮挡图形，所述遮挡图形位于相邻所述标准图形区之间，且所述遮挡图形与相邻所述标准图形区之间具有间隙。2.如权利要求1所述的对准图形，其特征在于，所述子图形区沿第二方向延伸，且所述第二方向与所述第一方向相垂直。3.如权利要求1或2所述的对准图形，其特征在于，在沿所述第一方向上，所述遮挡图形与邻近的所述子图形区之间的距离为第三距离，且所述第三距离为285nm～315nm。4.如权利要求1或2所述的对准图形，其特征在于，还包括：遮光图形，所述遮光图形位于相邻所述子图形区之间，且所述遮光图形与相邻所述子图形区之间具有间隙。5.如权利要求4所述的对准图形，其特征在于，所述子图形区的形状为条状；所述遮挡图形为条状；所述遮光图形为条状。6.一种具有对准图形的半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域，所述基底上形成有多个分立的第一功能层以及位于所述第一功能层顶部表面的牺牲层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿所述第一区域指向所述第二区域方向上，所述第一区域的相邻第一功能层之间的距离小于所述第二区域的第一功能层的宽度；在所述基底上形成第二功能层，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁，且在沿垂直于所述基底表面方向上，所述第二功能层的厚度与所述第一功能层的厚度不同；在所述第二功能层表面形成掩膜层，且所述掩膜层填充相邻所述牺牲层之间的区域；在形成所述掩膜层之后，去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一功能层顶部表面；去除所述掩膜层，暴露出剩余所述第二功能层顶部表面，所述第一功能层以及剩余所述第二功能层构成对准图形。7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，在形成所述掩模层之前，所述第二功能层还覆盖所述牺牲层顶部；所述在去除位于所述牺牲层侧壁以及第一功能层侧壁的所述第二功能层的工艺步骤中，还去除位于所述牺牲层顶部的所述第二功能层。8.如权利要求6或7所述的制造方法，其特征在于，所述掩膜层的材料与所述第一功能层的材料不同；所述掩膜层的材料与所述第二功能层的材料不同。9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，采用湿法工艺或者灰化工艺去除所述牺牲层。10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括光刻胶材料或者无定形碳。11.如权利要去6或7所述的制造方法，其特征在于，先去除所述牺牲层，后去除所述掩2CN111968962A权利要求书2/2页膜层；或者，先去除所述掩膜层，后去除所述牺牲层。12.一种具有对准图形的半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括若干第一区域以及位于相邻所述第一区域之间的第二区域；位于所述基底上的多个分立的第一功能层，所述第一区域具有至少两个所述第一功能层，所述第二区域的所述第一功能层横跨所述第二区域，且在沿第一区域指向所述第二区域方