一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112071972A(43)申请公布日2020.12.11(21)申请号202010921283.9B05D3/02(2006.01)(22)申请日2020.09.04B05D1/38(2006.01)(71)申请人谷麦光电科技股份有限公司地址464000河南省信阳市浉河区金牛产业集聚区富强路1号申请人信阳市谷麦光电子科技有限公司东莞市谷麦光学科技有限公司信阳中部半导体技术有限公司(72)发明人戢利进廖勇军李文庭张诺寒(74)专利代理机构北京品源专利代理有限公司11332代理人胡彬(51)Int.Cl.H01L33/50(2010.01)H01L25/075(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源(57)摘要本发明涉及LED集成光源技术领域，公开一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源。其中LED集成光源制造工艺的步骤包括S10、通过粘接剂将多个芯片粘接于基板的沉孔内，烘烤形成芯片层；S20、导通多个芯片，并预留与芯片导通的引线层；S30、在芯片层外周放置边缘遮框，混合荧光粉、荧光胶和稀释剂，并喷涂覆盖芯片层，取下边缘遮框，烘烤形成荧光层，芯片层置于荧光层内；S40、在荧光层上点涂封装胶，烘烤形成封装层，芯片层置于封装层内。本发明通过增加稀释剂，降低了粉胶混合液的粘性，使荧光粉的含量更多，保证被激发后产生的光的亮度更高；喷涂的方式使芯片各处的激发效率相同，保证发光的均匀性，减少了出现裂胶的风险，提高了LED集成光源的使用寿命。CN112071972ACN112071972A权利要求书1/1页1.一种LED集成光源制造工艺，其特征在于，步骤包括：S10、通过粘接剂(12)将多个芯片(21)粘接于基板(1)的沉孔(11)内，烘烤形成芯片层；S20、导通多个所述芯片(21)，并预留与所述芯片(21)导通的引线层(3)；S30、在所述芯片层外周放置边缘遮框(22)，混合荧光粉、荧光胶和稀释剂，并喷涂覆盖所述芯片层，取下所述边缘遮框(22)，烘烤形成荧光层(4)，所述芯片层置于所述荧光层(4)内；S40、在所述荧光层(4)上点涂封装胶，烘烤形成封装层(5)，所述芯片层置于所述封装层(5)内。2.根据权利要求1所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述沉孔(11)的表面镀设有反射层(13)。3.根据权利要求1所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，多个所述芯片(21)呈矩阵排列成芯片组(24)。4.根据权利要求2所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述基板(1)上设置有两个以上所述沉孔(11)，每个所述沉孔(11)内均设置有一个所述芯片组(24)。5.根据权利要求3所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述S30中，取下所述边缘遮框(22)之后，在相邻两个所述芯片组(24)之间涂设白胶(41)，烘烤形成所述荧光层(4)。6.根据权利要求1所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述荧光层(4)的厚度为50μm-120μm。7.根据权利要求1-6任一项所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述粘接剂(12)为银胶，所述S10中烘烤条件为(170±5)℃/1hrs。8.根据权利要求1-6任一项所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述荧光胶为硅胶，所述S30中烘烤条件为(150±5)℃/1hrs。9.根据权利要求1-6任一项所述的LED集成光源制造工艺，其特征在于，所述封装胶为硅胶，所述S40中烘烤步骤为：先于(80±5)℃/1hrs的烘烤条件下烘烤；再于(150±5)℃/3hrs的烘烤条件下烘烤。10.一种LED集成光源，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的LED集成光源制造工艺制成，包括：基板(1)，其上设置有沉孔(11)；芯片层，设置于所述沉孔(11)内，包括相互电连接的多个芯片(21)，所述芯片(21)粘接于所述沉孔(11)内；引线层(3)，与所述芯片(21)导通；荧光层(4)，覆盖所述芯片层设置；封装层(5)，覆盖所述荧光层(4)设置。2CN112071972A说明书1/4页一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源技术领域[0001]本发明涉及LED集成光源技术领域，尤其涉及一种LED集成光源制造工艺及LED集成光源。背景技术[0002]LED集成光源具有节能、环保、寿命长等优点，被广泛应用于需要各种照明的场合。[0003]目前，LED集成光源在封装领域上呈现不同的封装形式和结构，传统的封装工艺形式大都为点胶工艺，即将荧光粉和荧光胶混合后点滴于芯片上，后再烘烤固化形成荧光层。由于粉胶混合液内荧光胶的含量远大于荧光粉的含量，所以易导致荧光粉含量少，被激发