MOS场效应管讲述.pptx

3.2结型场效应管概述3.1MOS场效应管N沟道EMOS管外部工作条件N沟道EMOSFET沟道形成原理VDS对沟道的控制（假设VGS>VGS(th)且保持不变）当VDS增加到使VGD=VGS(th)时→A点出现预夹断若考虑沟道长度调制效应MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电故称单极型器件。由于MOS管栅极电流为零故不讨论输入特性曲线。NEMOS管输出特性曲线数学模型：数学模型：由于MOS管COX很小因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS(=Q/COX)使绝缘层击穿造成MOS管永久性损坏。NEMOS管转移特性曲线衬底效应P沟道EMOS管3.1.2耗尽型MOS场效应管NDMOS管伏安特性3.1.3四种MOS场效应管比较饱和区（放大区）外加电压极性及数学模型临界饱和工作条件FET直流简化电路模型(与三极管相对照)3.1.4小信号电路模型MOS管跨导计及衬底效应的MOS管简化电路模型MOS管高频小信号电路模型场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。MOS管截止模式判断方法例1已知nCOXW/(2l)=0.25mA/V2VGS(th)=2V求ID小信号等效电路法3.2结型场效应管N沟道JFET管外部工作条件VGS对沟道宽度的影响VDS很小时→VGDVGS当VDS增加到使VGD=VGS(off)时→A点出现预夹断利用半导体内的电场效应通过栅源电压VGS的变化改变阻挡层的宽窄从而改变导电沟道的宽窄控制漏极电流ID。NJFET输出特性饱和区(放大区)截止区JFET转移特性曲线JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同因此跨导计算公式不同。各类FET管VDS、VGS极性比较场效应管与三极管性能比较N沟道EMOS管GD相连构成有源电阻N沟道DMOS管GS相连构成有源电阻有源电阻构成分压器人有了知识就会具备各种分析能力明辨是非的能力。所以我们要勤恳读书广泛阅读古人说“书中自有黄金屋。”通过阅读科技书籍我们能丰富知识培养逻辑思维能力；通过阅读文学作品我们能提高文学鉴赏水平培养文学情趣；通过阅读报刊我们能增长见识扩大自己的知识面。有许多书籍还能培养我们的道德情操给我们巨大的精神力量鼓舞我们前进。第五十二页共五十三页。内容总结