绝缘珊场效应管(MOS)-豆柴文库

绝缘珊场效应管(MOS).ppt

2024-08-13

10金币

2.3MB

16页

kp****93

实名认证

内容提供者

1/10

2/10

3/10

4/10

5/10

6/10

7/10

8/10

9/10

10/10

亲，该文档总共16页，到这已经超出免费预览范围，如果喜欢就直接下载吧～

下载提示文本预览

如果您无法下载资料，请参考说明：

1、部分资料下载需要金币，请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档，再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压，在使用对应软件打开

相关资料

绝缘珊场效应管(MOS).ppt

复习巩固FET的分类:第二节绝缘栅场型效应三极管2、定义：栅极与漏、源极完全绝缘的场效晶体管，称绝缘栅场效晶体管。根据绝缘层所用材料之不同，绝缘栅场效应管有多种类型，目前应用最广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。与结型场效应管相比这种管子输入电阻更高、噪声更小。当uGS＞0V时→纵向电场→将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。定义：开启电压（UT）——刚刚产生沟道所需的栅源电压U

2024-08-13

2.3MB

MOS绝缘栅型场效应管之图解.docx

绝缘栅型场效应管之图解绝缘栅型场效应管是一种利用半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于1000000000Ω。增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道，在VDS作用下无iD。耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道，在VDS作用下iD。1.结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。N沟道绝缘栅型场效应管结构动画其他MOS管符号

2024-11-04

150KB

MOS场效应管.ppt

3.2结型场效应管概述3.1MOS场效应管NN沟道EMOS管外部工作条件N沟道EMOSFET沟道形成原理VDS对沟道的控制（假设VGS>VGS(th)且保持不变）当VDS增加到使VGD=VGS(th)时→A点出现预夹断若考虑沟道长度调制效应MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。由于MOS管栅极电流为零，故不讨论输入特性曲线。NEMOS管输出特性曲线数学模型：饱和区数学模型：截止区由于MOS管COX很小，因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时，感生电荷在SiO2绝缘层中将产生很大的电压VGS

2024-10-27

660KB

MOS场效应管原理.pdf

MOS场效应管原理场效应管是另一种半导体器件，工作原理与三极管有很大区别。场效应管是电压控制电流的器件，工作时不从前级电路取电流，因此，场效应管电路的输入电阻高。另外，场效应管的制作工艺简单，功率损耗小，在集成电路中有广泛应用。场效应管容易受静电击穿而损坏，使用时要注意保护。场效应管有两种：一种称为结型场效应管；另一种是绝缘栅型场效应管，又称MOS管。下面分别简要介绍它们的结构和工作原理。1.6.1三极管的电路模型1．工作原理根据导电沟道的不同，结场效应管分成N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管，下面仅

2024-09-10

292KB

MOS场效应管讲述.pptx

3.2结型场效应管概述3.1MOS场效应管N沟道EMOS管外部工作条件N沟道EMOSFET沟道形成原理VDS对沟道的控制（假设VGS>VGS(th)且保持不变）当VDS增加到使VGD=VGS(th)时→A点出现预夹断若考虑沟道长度调制效应MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电故称单极型器件。由于MOS管栅极电流为零故不讨论输入特性曲线。NEMOS管输出特性曲线数学模型：数学模型：由于MOS管COX很小因此当带电物体（或人）靠近金属栅极时感生电荷在SiO

2023-11-10

519KB