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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112420895A(43)申请公布日2021.02.26(21)申请号202011237249.6H01L33/44(2010.01)(22)申请日2020.11.09(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人段淼李冬泽(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人李新干(51)Int.Cl.H01L33/48(2010.01)H01L33/50(2010.01)H01L33/56(2010.01)H01L27/15(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件(57)摘要本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤:对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD‑miniLED发光器件。本申请实施例提供的QD‑miniLED发光器件制作方法通过在miniLED单体的表面进行超疏水化处理,从而降低miniLED单体的表面的浸润性,从而可以避免后续进行遮光材料层的涂布时,遮光材料层在miniLED单体的发光面残留,从而可以提高QD‑miniLED发光器的质量,降低不良CN112420895A率。CN112420895A权利要求书1/2页1.一种QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,包括以下步骤:对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD-miniLED发光器件。2.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理。3.根据权利要求2所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行粗糙化处理的步骤,包括:在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层。4.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述在所述多个第一miniLED单体的表面制作一层具有微纳结构的涂层的步骤,包括:采用化学气相沉淀法在所述多个第一miniLED单体的表面沉积一层具有微纳结构的涂层。5.根据权利要求3所述的QD-miniLED发光器件制作方法,所述涂层为二氧化硅涂层或者氮化硅涂层。6.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理的步骤,包括:对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理。7.根据权利要求6所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述对多个第一miniLED单体的表面进行降低表面能处理的步骤,包括:在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于第一预设值的涂层。8.根据权利要求7所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述在多个第一miniLED单体的表面涂布表面能低于预设值的涂层的步骤包括:将氟化剂加入到透光度大于第二预设值的无机物溶液或者有机高分子溶液中进行混合,得到混合后的氟化剂溶液;将所述氟化剂溶液涂布到所述多个第一miniLED单体的表面,以在所述多个第一miniLED单体的表面形成表面能低于预设值的涂层。9.根据权利要求1所述的QD-miniLED发光器件制作方法,其特征在于,所述遮光材料层的材料为黑胶或者黑色油墨。10.一种QD-miniLED发光器件,其特征在于,包括以下步骤:TFT阵列基板;多个第二miniLED单体,所述多个第二miniLED单体间隔地设置于所述TFT阵列基板的上表面,每一所述第二miniLED单体的表面为进行超疏水化处理后的表面;遮光材料层,其设置于所述TFT阵列基板上,并填充在所述多个第二miniLED单体的间