QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件.pdf
王秋****哥哥
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本公开提供一种发光器件、显示面板、显示装置和发光器件的制作方法。所述发光器件包括:第一膜层,所述第一膜层位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧,所述第一膜层包括:中间部,以及包围所述中间部的边缘部,其中,所述中间部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第一距离,所述边缘部背离所述第一电极层的表面距所述衬底基板具有第二距离,所述第一距离与所述第二距离不同;发光结构,所述发光结构位于所述第一膜层背离所述第一电极层的一侧,所述发光结构包括有机发光层以及平坦部,所述平坦部位于所述第一距离、所述第二距离中较小
发光器件及其制作方法.pdf
本发明提供了发光器件及其制作方法。该制作方法包括以下步骤:在基板上形成像素隔离结构,像素隔离结构具有多个相互隔离的像素区域,且像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面或疏水性表面;在与像素区域对应的基板上设置光提取溶液,形成光提取层,光提取溶液包括基体材料、散射粒子和溶剂,且当像素隔离结构的裸露表面为亲水性表面时,光提取溶液为疏水性溶液,当像素隔离结构的裸露表面为疏水性表面时,光提取溶液为亲水性溶液。上述方案能够在形成光提取层的步骤中光提取溶液不会残留在像素隔离结构的上表面或者侧壁,而是在重力作用下回流到像素区
QD-miniLED发光器件制作方法及QD-miniLED发光器件.pdf
本申请公开了一种QD‑miniLED发光器件制作方法及QD‑miniLED发光器件。该QD‑miniLED发光器件制作方法包括以下步骤:对多个第一miniLED单体的表面进行超疏水化处理,得到多个第二miniLED单体;将所述多个第二miniLED单体转移到TFT阵列基板上,所述多个第二miniLED单体在所述TFT阵列基板上间隔分布;在所述TFT阵列基板上的多个第二miniLED单体的间隙内填充遮光材料层;将所述TFT阵列基板与设置有像素化的量子点基板对组贴合,得到QD‑miniLED发光器件。本申请实
发光器件.pdf
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公开了一种实施例的发光器件。所述发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的多个有机层。有机层之中的至少一个包括由下面的式1表示的稠合多环化合物,从而显示出改善的发射效率。[式1]<base:Imagehe=@503@wi=@862@file=@DDA0003360192450000011.JPG@imgContent=@drawing@imgFormat=@JPEG@orientation=@portrait@inline=@yes@/>