清洗装置、清洗方法及清洗系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112447545A(43)申请公布日2021.03.05(21)申请号201910803626.9F26B21/00(2006.01)(22)申请日2019.08.28F26B21/10(2006.01)(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人蒋国彪(74)专利代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)31260代理人成丽杰(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/673(2006.01)H01L21/683(2006.01)B08B5/02(2006.01)B08B13/00(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图7页(54)发明名称清洗装置、清洗方法及清洗系统(57)摘要本发明涉及半导体技术领域，公开了一种清洗装置、清洗方法及清洗系统。其中，清洗装置，包括清洗箱；设置在清洗箱内、用于放置并带动待清洗物旋转的旋转台；设置在旋转台上方的通风口，通风口用于向清洗箱内输入无尘空气；围绕旋转台设置的第一挡板；自第一挡板向上、并朝向靠近第一挡板内部方向延伸的第二挡板和第三挡板，第二挡板至少部分位于旋转台上方，第三挡板位于第二挡板上方、且第三挡板与旋转台的夹角大于第二挡板与旋转台的夹角；第二挡板及第一挡板与旋转台之间间隔形成通风通道。本发明实施方式所提供的清洗装置、清洗方法及清洗系统具有有效的减少待清洗物表面的微粒残留。CN112447545ACN112447545A权利要求书1/1页1.一种清洗装置，其特征在于，包括：清洗箱；设置在所述清洗箱内、用于放置并带动待清洗物旋转的旋转台；设置在所述旋转台上方的通风口，所述通风口用于向所述清洗箱内输入无尘空气；围绕所述旋转台设置的第一挡板；自所述第一挡板向上、并朝向靠近所述第一挡板内部方向延伸的第二挡板和第三挡板，所述第二挡板至少部分位于所述旋转台上方，所述第三挡板位于所述第二挡板上方、且所述第三挡板与所述旋转台的夹角大于所述第二挡板与所述旋转台的夹角；所述第二挡板及所述第一挡板与所述旋转台之间间隔形成有通风通道。2.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第二挡板与所述旋转台的夹角小于或等于30°且大于或等于20°。3.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第一挡板包括靠近所述旋转台的第一内表面，所述第一内表面上设置有亲水涂层，或者所述第一内表面为粗糙表面。4.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，所述第二挡板包括靠近所述旋转台的第二内表面，所述第二内表面上设置有所述亲水涂层，或者所述第二内表面为粗糙表面。5.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括与所述清洗箱连接的气压控制阀，所述气压控制阀用于控制所述清洗箱内的排气气压大于或等于160帕斯卡且小于或等于180帕斯卡。6.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括与所述清洗箱连接的排气管道和设置在所述排气管道内、用于测量所述排气管道内排气风速的风速计。7.根据权利要求1所述的清洗装置，其特征在于，还包括与所述通风口连通的风机过滤机组，所述风机过滤机组用于向所述清洗箱内输入无尘空气；还包括自所述旋转台向下延伸的第四挡板，所述第四挡板与所述第一挡板夹设形成排气通道；还包括设置在所述第四挡板内部、用于定位所述待清洗物的定位装置；还包括设置在所述旋转台上、用于固定所述待清洗物的固定件。8.一种清洗方法，其特征在于，包括：将待清洗物置于如权利要求1至7所述的清洗装置中的旋转台上；经由通风口向所述清洗箱内输入无尘空气后，对清洗箱进行排气。9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述对清洗箱进行排气前，还包括：通过气压控制阀控制所述清洗箱内的排气气压大于或等于160帕斯卡且小于或等于180帕斯卡。10.一种清洗系统，其特征在于，包括：包括控制台和至少一个如权利要求1至7所述的清洗装置。2CN112447545A说明书1/7页清洗装置、清洗方法及清洗系统技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种清洗装置、清洗方法及清洗系统。背景技术[0002]随着半导体集成电路制造技术的高速发展，集成电路芯片的图形特征尺寸已进入到深亚微米阶段，而造成芯片上超细微电路失效或损坏的关键玷污物的特征尺寸也随之大为减小。[0003]在集成电路的生产加工工艺过程中，半导体硅片通常都会经过诸如薄膜沉积、刻蚀、抛光等多道工艺步骤。而这些工艺步骤就成为玷污物产生的重要场所。为了保持硅片表面的清洁状态，消除在各个工艺步骤中沉积在硅片表面的玷污物，必须对经受了每道工艺步骤后的硅片进行清洗处理。因此，清洗工艺成为集成电路制作过程中最普遍的工艺步骤，