一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112563442A(43)申请公布日2021.03.26(21)申请号202011457515.6(22)申请日2020.12.11(71)申请人深圳市智联汇网络系统企业（有限合伙）地址518000广东省深圳市南山区粤海街道科丰路2号特发信息港D栋一楼东侧2号(72)发明人孙浩李牧词茆胜(74)专利代理机构上海洞鉴知识产权代理事务所(普通合伙)31346代理人刘少伟(51)Int.Cl.H01L51/56(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法(57)摘要本发明为涉及一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，包括以下步骤：在硅基板上制备阳极像素阵列、以及PAD接口；在所述PAD接口上喷涂接口保护膜；所述喷涂方式为喷墨打印；通过真空蒸镀工艺制备OLED有机发光结构；通过薄膜密封工艺制备所述OLED有机发光结构的保护层；在所述保护层外侧贴盖玻璃盖片；通过激光轰击所述PAD接口所在区域，并使得所述PAD接口完全暴露；经过测试封装后，完成硅基OLED显示芯片接口的制造。有益效果是：使用喷墨打印技术代替光刻工艺制备接口保护层后，彻底避免了金属阳极被腐蚀和残留物导致的器件电压升高、电压不稳定、亮度不均匀、像素污染、寿命大幅缩短等问题，提升了器件的性能和寿命。CN112563442ACN112563442A权利要求书1/1页1.一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：S01，在硅基板上制备阳极像素阵列、以及PAD接口；S02，在所述PAD接口上喷涂接口保护膜；所述喷涂方式为喷墨打印；S03，通过真空蒸镀工艺制备OLED有机发光结构；S04，通过薄膜密封工艺制备所述OLED有机发光结构的保护层；S05，在所述保护层外侧贴盖玻璃盖片；S06，通过激光轰击所述PAD接口所在区域，并使得所述PAD接口完全暴露；S07，经过测试封装后，完成硅基OLED显示芯片接口的制造。2.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S02中的保护膜的喷涂厚度为50nm‑100nm。3.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S02中的保护膜的喷涂材料为Alq3。4.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S04中的保护层的至少为两层，其中第一层材料为Al2O3，第二层材料为Parylene。5.根据权利要求4所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第一层的厚度为50nm‑100nm。6.根据权利要求4所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，所述第二层的厚度为500nm‑700nm。7.根据权利要求1所述的一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法，其特征在于，步骤S06中的所述的激光为248nm的KrF激光。2CN112563442A说明书1/3页一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法技术领域[0001]本发明涉及加热装置技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED显示芯片接口的制作方法。背景技术[0002]OLED即有机发光二极管OLED(OrganicLight‑EmittingDiode)，是一种利用多层有机薄膜结构产生电致发光的器件。OLED显示技术具有全固态、自发光、对比度高、功耗低、色域广、视角广、响应速度块、工作温度范围广等一系列优点，被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术，能极大地满足消费者对显示技术的新需求。[0003]硅基OLED微型显示器，是半导体技术和OLED显示技术的结合，不但具备OLED显示器的上述优点，同时还具备半导体芯片微型化和高度集成的优点。其尺寸一般在1英寸以内，像素密度可高达5000PPI以上，远高于玻璃基板OLED显示器，在快速发展的近眼显示领域有广阔的应用前景。[0004]硅基OLED微型显示器，通常包括具有驱动电路的硅基板和基板之上的OLED发光结构。在OLED结构中，OLED有机材料和阴极金属材料都具有活性高、易氧化的特点，很容易与空气中的水、氧反应，导致发光效率降低、电压升高、寿命缩短、器件失效等问题。因此，必须采用薄膜密封工艺对OLED结构进行可靠的保护，使OLED结构与外界隔绝。硅基OLED器件的密封层由多层非晶态金属氧化物制备，可实现了对水汽氧气的高效阻隔，并且具备透光性好、针孔及裂纹少的优点。但是密封工艺后，硅基板上的Pad接口会被密封膜层覆盖，导致无法进行后续的焊线工艺，并且密封膜层较为致密，难以通过非接触手段去除，因此就需要在密封工艺前对Pad接口进行保护，以便后续容易去除Pad接口上的密封层