一种硅基OLED面板散热结构及制作方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115915824A(43)申请公布日2023.04.04(21)申请号202211367777.2(22)申请日2022.11.03(71)申请人福建华佳彩有限公司地址351100福建省莆田市涵江区涵中西路1号(72)发明人温质康庄丹丹乔小平(74)专利代理机构福州市京华专利代理事务所(普通合伙)35212专利代理师宋连梅(51)Int.Cl.H10K50/87(2023.01)H10K85/00(2023.01)H10K71/00(2023.01)权利要求书2页说明书5页附图2页(54)发明名称一种硅基OLED面板散热结构及制作方法(57)摘要本发明公开了一种硅基OLED面板散热结构及制作方法，涉及硅基OLED面板散热技术领域。所述结构包括：CMOS器件；ALN薄膜层，覆盖于所述CMOS器件上，其内部形成有多个硅通道Via；OLED器件，逐层制备在所述ALN薄膜层上，通过所述硅通道Via与所述CMOS器件连接；隔离柱，形成于所述OLED器件外围，且所述隔离柱材料中掺杂散热粒子；第一无机薄膜层、有机薄膜层、第二无机薄膜层，依次形成于所述隔离柱限定的区域内；CF+BM层及盖板玻璃。本发明提供的一种硅基OLED面板散热结构及制作方法，通过在薄膜封装层中添加散热粒子，并且衬底上整面性的ALN薄膜，有利于降低器件运行温度，使OLED器件运行更加稳定，延长器件的使用寿命。CN115915824ACN115915824A权利要求书1/2页1.一种硅基OLED面板散热结构，其特征在于，包括：CMOS器件；ALN薄膜层，覆盖于所述CMOS器件上，其内部形成有多个硅通道Via；OLED器件，逐层制备在所述ALN薄膜层上，通过所述硅通道Via与所述CMOS器件连接；隔离柱，形成于所述OLED器件外围，且所述隔离柱材料中掺杂散热粒子；第一无机薄膜层，形成于所述隔离柱限定的区域内，并覆盖于所述OLED器件上方；有机薄膜层，形成于所述隔离柱限定的区域内，并覆盖于所述第一无机薄膜层上方；第二无机薄膜层，形成于所述隔离柱限定的区域内，并覆盖于所述有机薄膜层上方；CF+BM层，紧密贴合于所述第二无机薄膜层上方；盖板玻璃，紧密贴合于所述CF+BM层上方。2.根据权利要求1所述的硅基OLED面板散热结构，其特征在于：所述ALN薄膜层的厚度范围为0.4um～0.8um。3.根据权利要求2所述的硅基OLED面板散热结构，其特征在于：所述ALN薄膜层的厚度范围为0.6um。4.根据权利要求1所述的硅基OLED面板散热结构，其特征在于：所述隔离柱的材料包括氟化聚酰亚胺、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯酯；所述散热粒子包括碳颗粒、石墨烯颗粒、金属颗粒。5.根据权利要求4所述的硅基OLED面板散热结构，其特征在于：所述金属颗粒包括钛颗粒、铜颗粒、铝颗粒，所述金属颗粒的直径范围为50nm～150nm。6.根据权利要求5所述的硅基OLED面板散热结构，其特征在于：所述金属颗粒的直径为100nm。7.一种硅基OLED面板散热结构制作方法，其特征在于，包括：步骤一、制备CMOS器件作为像素发光的驱动电路；采用ALN薄膜层覆盖所述CMOS器件，起到绝缘和封装的效果且有助于将热量传导到衬底；然后再在ALN薄膜层开孔形成硅通道Via，最后再溅射一层OLED器件的阳极层，阳极层同时填充于所述硅通道Via中，用于连接OLED器件与CMOS器件；步骤二、在步骤一的基础上制备OLED器件，在所述阳极层上涂布像素定义层，然后通过蒸镀机依次蒸镀空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、电子传输层ETL、电子注入层EIL以及阴极，完成OLED器件的制备；步骤三、在步骤二的基础之上，制备薄膜封装层，首先涂布一层隔离柱，所述隔离柱材料中掺杂散热粒子；然后在隔离柱限定的区域内依次形成第一无机薄膜层、有机缓冲层和第二无机薄膜层；步骤四、在步骤三的基础之上，制备CF+BM层，最后贴合一层盖板玻璃。8.根据权利要求7所述的硅基OLED面板散热结构制作方法，其特征在于：所述ALN薄膜层的厚度范围为0.4um～0.8um。9.根据权利要求7所述的硅基OLED面板散热结构制作方法，其特征在于：所述隔离柱的材料包括氟化聚酰亚胺、环氧树脂、聚丙烯酸酯、聚醋酸乙烯酯；所述散热粒子包括碳颗粒、石墨烯颗粒、金属颗粒。10.根据权利要求9所述的硅基OLED面板散热结构制作方法，其特征在于：所述金属颗2CN115915824A权利要求书2/2页粒包括钛颗粒、铜颗粒、铝颗粒，所述金属颗粒的直径范围为50nm～150nm。3CN115915824A说明书1/5页一种硅基OLED面板散热结构及制作方法技术领域[0001]本发明涉及硅基OLED面板散热技术领域，特别涉